[發明專利]一種改進的OPC方法和掩膜圖形的制作方法

在審

• 申請號: 201910872794.3
• 申請日: 2019-09-16
• 公開（公告）號: CN112506000A
• 公開（公告）日: 2021-03-16
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: G03F1/36
• 分類號: G03F1/36
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 虞凌霄

本發明涉及一種改進的OPC(光學鄰近效應校正)方法和掩膜圖形的制作方法。本發明中改進的OPC方法包括：獲取原始版圖圖形；使用標準OPC程式修正所述原始版圖圖形得到修正版圖圖形；獲取所述修正版圖圖形的工藝窗口；根據所述工藝窗口的結果，將所述修正版圖圖形劃分為參考版圖圖形和缺陷版圖圖形；使用特殊OPC程式修正所述缺陷版圖圖形，使所述缺陷版圖圖形的工藝窗口滿足要求。本發明通過把不同的修正方法進行結合，保證了修正質量和修正速度。

技術領域

本發明涉及半導體制造領域，特別是涉及一種改進的OPC方法和掩膜圖形的制作方法。

背景技術

隨著半導體技術的不斷發展，半導體器件的設計尺寸不斷縮小，越來越接近光刻成像系統的極限，這時很容易產生光學鄰近效應(OPE，Optical Proximity Effect)，如邊角圓化、線尾縮短、線寬增加或縮減等都是常見的光學鄰近效應導致的光刻缺陷。

業界通常使用光學鄰近修正(OPC，Optical Proximity Correction)對原始版圖圖形進行修正，從而避免光學鄰近效應造成的光刻缺陷。光學鄰近修正的就是基于抵消光學鄰近效應的目的，建立光學鄰近修正模型，根據光學鄰近修正模型制造掩膜圖形。這樣雖然光刻時發生了光學鄰近效應，但是由于在設計掩模圖形時，已經根據光學鄰近修正模型考慮了對該現象的抵消，因此，光刻后的光刻圖形接近于用戶實際希望獲得的目標圖形。

通常采用標準OPC模型修正原始版圖時，并不能保證原始版圖中所有的版圖圖形都能得到足夠的工藝窗口。因此，為解決現有技術中光學鄰近修正質量的問題，亟需提出一種改進的光學鄰近修正方法。

發明內容

基于此，有必要針對現有技術中光學鄰近修正質量不高的問題，提供一種改進的OPC方法和掩膜圖形的制作方法。

一種改進的OPC方法，包括：

獲取原始版圖圖形；

使用標準OPC程式修正所述原始版圖圖形獲得修正版圖圖形；

獲取所述修正版圖圖形的工藝窗口；

根據所述工藝窗口，將所述修正版圖圖形劃分為參考版圖圖形和缺陷版圖圖形；

使用特殊OPC程式修正所述缺陷版圖圖形，使所述缺陷版圖圖形的工藝窗口滿足要求。

下面進一步對技術方案進行說明：

在其中一個實施例中，獲取所述修正版圖圖形的工藝窗口的步驟，包括：

獲取所述修正版圖圖形在焦點處的正常圖形和離焦時的離焦圖形的尺寸；

獲取所述正常圖形和所述離焦圖形的尺寸差異值。

在其中一個實施例中，將所述修正版圖圖形劃分為參考版圖圖形和缺陷版圖圖形的步驟，包括：

預設一工藝窗口閾值；

所述工藝窗口不小于所述工藝窗口閾值的所述修正版圖圖形為參考版圖圖形；

所述工藝窗口小于所述工藝窗口閾值的所述修正版圖圖形為缺陷版圖圖形。

在其中一個實施例中，將所述修正版圖圖形劃分為參考版圖圖形和缺陷版圖圖形的步驟，還包括：

對所述缺陷版圖圖形進行晶圓驗證，獲得真實缺陷版圖圖形；

使用特殊OPC程式修正所述真實缺陷版圖圖形，使所述真實缺陷版圖圖形的工藝窗口滿足要求。

在其中一個實施例中，所述使用特殊OPC程式修正所述缺陷版圖圖形，使所述缺陷版圖圖形的工藝窗口滿足要求的步驟，包括：

使用特殊OPC程式修正所述缺陷版圖圖形得到特殊版圖圖形；