[發(fā)明專利]一種卷繞式磁控濺射鍍膜機在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910872123.7 | 申請日: | 2019-09-16 |
| 公開(公告)號: | CN110438467A | 公開(公告)日: | 2019-11-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 林初贏;林初煌 | 申請(專利權(quán))人: | 林初贏 |
| 主分類號: | C23C14/35 | 分類號: | C23C14/35;C23C14/56 |
| 代理公司: | 北京世譽鑫誠專利代理事務(wù)所(普通合伙) 11368 | 代理人: | 魏敬宣 |
| 地址: | 325200 浙江省溫州市瑞安*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 鍍膜箱體 收卷輥 傳導(dǎo)機構(gòu) 磁控濺射鍍膜機 磁控濺射機構(gòu) 頂部安裝 卷繞式 箱口 箱門 底座 不銹鋼合頁 褶皺 鍍膜產(chǎn)品 濺射鍍膜 鉸接安裝 內(nèi)部安裝 平展機構(gòu) 轉(zhuǎn)動安裝 均勻性 鍍膜 基材 卷繞 箱壁 | ||
本發(fā)明公開了一種卷繞式磁控濺射鍍膜機,包括鍍膜箱體、底座、磁控濺射機構(gòu)、物料輥、收卷輥、傳導(dǎo)機構(gòu)和平展機構(gòu),鍍膜箱體的底部固定安裝有底座,鍍膜箱體的內(nèi)部安裝有磁控濺射機構(gòu),鍍膜箱體的一側(cè)開設(shè)有箱口,箱口一側(cè)的鍍膜箱體上通過不銹鋼合頁鉸接安裝有箱門,鍍膜箱體內(nèi)靠近箱門一側(cè)的頂部安裝有物料輥,鍍膜箱體內(nèi)遠(yuǎn)離物料輥一側(cè)的頂部安裝有收卷輥,物料輥和收卷輥相對的兩端均與鍍膜箱體的箱壁轉(zhuǎn)動安裝,收卷輥和物料輥之間的鍍膜箱體內(nèi)安裝有傳導(dǎo)機構(gòu);本發(fā)明結(jié)構(gòu)合理簡單,提高濺射鍍膜的均勻性,平展機構(gòu)防止基材褶皺對鍍膜的影響,使得鍍膜產(chǎn)品質(zhì)量得到提高,傳導(dǎo)機構(gòu)有效提高卷繞穩(wěn)定性。
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及鍍膜技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種卷繞式磁控濺射鍍膜機。
背景技術(shù):
鍍膜機主要指一類需要在較高真空度下進(jìn)行的鍍膜,具體包括很多種類,包括真空離子蒸發(fā),磁控濺射,MBE分子束外延,PLD激光濺射沉積等很多種。主要思路是分成蒸發(fā)和濺射兩種,磁控濺射的工作原理是指電子在電場E的作用下,在飛向基片過程中與氬原子發(fā)生碰撞,使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子;新電子飛向基片,Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶,并以高能量轟擊靶表面,使靶材發(fā)生濺射。在濺射粒子中,中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜,而產(chǎn)生的二次電子會受到電場和磁場作用,產(chǎn)生E(電場)×B(磁場)所指的方向漂移,簡稱E×B漂移,其運動軌跡近似于一條擺線。若為環(huán)形磁場,則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運動,它們的運動路徑不僅很長,而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域內(nèi),并且在該區(qū)域中電離出大量的Ar來轟擊靶材,從而實現(xiàn)了高的沉積速率。隨著碰撞次數(shù)的增加,二次電子的能量消耗殆盡,逐漸遠(yuǎn)離靶表面,并在電場E的作用下最終沉積在基片上。由于該電子的能量很低,傳遞給基片的能量很小,致使基片溫升較低。但現(xiàn)有的鍍膜機在對基材卷繞過程中容易出現(xiàn)松動,導(dǎo)致鍍膜后的基材卷繞穩(wěn)定性較差,以及基材褶皺影響鍍膜的均勻性,導(dǎo)致基材鍍膜的產(chǎn)品質(zhì)量較差,實用性不強,所以本發(fā)明提供一種混凝土攪拌用下料裝置來解決上述問題。
發(fā)明內(nèi)容:
本發(fā)明的目的就在于為了解決上述問題而提供一種卷繞式磁控濺射鍍膜機,解決了現(xiàn)有的鍍膜機在對基材卷繞過程中容易出現(xiàn)松動,導(dǎo)致鍍膜后的基材卷繞穩(wěn)定性較差,以及基材褶皺影響鍍膜的均勻性,導(dǎo)致基材鍍膜的產(chǎn)品質(zhì)量較差,實用性不強的問題。
為了解決上述問題,本發(fā)明提供了一種技術(shù)方案:
一種卷繞式磁控濺射鍍膜機,包括鍍膜箱體、底座、磁控濺射機構(gòu)、物料輥、收卷輥、傳導(dǎo)機構(gòu)和平展機構(gòu),所述鍍膜箱體的底部固定安裝有底座,所述鍍膜箱體的內(nèi)部安裝有磁控濺射機構(gòu),所述鍍膜箱體的一側(cè)開設(shè)有箱口,所述箱口一側(cè)的鍍膜箱體上通過不銹鋼合頁鉸接安裝有箱門,所述鍍膜箱體內(nèi)靠近箱門一側(cè)的頂部安裝有物料輥,所述鍍膜箱體內(nèi)遠(yuǎn)離物料輥一側(cè)的頂部安裝有收卷輥,所述物料輥和收卷輥相對的兩端均與鍍膜箱體的箱壁轉(zhuǎn)動安裝,所述收卷輥和物料輥之間的鍍膜箱體內(nèi)安裝有傳導(dǎo)機構(gòu),所述物料輥上方的鍍膜箱體內(nèi)安裝有平展機構(gòu),所述物料輥上收卷有基材,所述基材經(jīng)過傳導(dǎo)機構(gòu)收卷在收卷輥上,所述基材靠近磁控濺射機構(gòu)的一側(cè)形成有鍍膜層,所述傳導(dǎo)機構(gòu)設(shè)置在磁控濺射機構(gòu)的上方,所述收卷輥的一端通過聯(lián)軸器與第一電機的輸出端傳動連接,所述第一電機通過安裝板固定安裝在鍍膜箱體的一側(cè)上,所述底座的底部固定安裝有移動輪。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選技術(shù)方案,所述磁控濺射機構(gòu)包括極板、磁鐵、靶材、第一通口、第二通口、真空泵、導(dǎo)氣管、電磁閥和儲氣罐,所述極板安裝在鍍膜箱體的底部,所述極板上安裝有磁鐵,所述磁鐵設(shè)置有三個,所述磁鐵遠(yuǎn)離極板一側(cè)的鍍膜箱體內(nèi)安裝有靶材,所述靶材靠近磁鐵的一側(cè)固定安裝有銅背板,所述靶材上方的鍍膜箱體內(nèi)設(shè)置有基材,所述極板一側(cè)的鍍膜箱體上開設(shè)有第一通口,所述極板另一側(cè)的鍍膜箱體上開設(shè)有第二通口,所述第一通口通過管道與真空泵的輸入端連通,所述真空泵固定安裝在底座的內(nèi)部,所述第二通口通過導(dǎo)氣管與儲氣罐連通,所述儲氣罐和第二通口之間的導(dǎo)氣管上安裝有電磁閥,所述儲氣罐固定安裝在底座的內(nèi)部。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于林初贏,未經(jīng)林初贏許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910872123.7/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





