[發明專利]一種射頻開關電路結構

在審

• 申請號: 201910871710.4
• 申請日: 2019-09-16
• 公開（公告）號: CN110719092A
• 公開（公告）日: 2020-01-21
• 發明（設計）人: 張志浩;鐘立平;李嘉進;藍煥青;章國豪
• 申請（專利權）人: 廣東工業大學
• 主分類號: H03K17/08
• 分類號: H03K17/08;H03K17/51;H03K17/56
• 代理公司: 44329 廣東廣信君達律師事務所
• 代理人: 楊曉松

1.一種射頻開關電路結構，其特征在于，包括N個堆疊的晶體管；所述的N個堆疊的晶體管包括第一晶體管M₁至第N晶體管M_N，其中：

所述第一晶體管M₁的漏極作為射頻輸入端RF_in，第一晶體管M₁的源極與第二晶體管M₂的漏極相連；第二晶體管M₂的源極與所述第三晶體管M₃的漏極相連，以此類推，第N-1個晶體管M_N-1的源極與第N個晶體管M_N的漏極相連，第N個晶體管M_N的源極作為射頻輸出端RF_out；

所述第一晶體管M₁的柵極通過柵偏置電阻R_G連接至第二晶體管M₂的柵極，第二晶體管M₂的柵極通過柵偏置電阻R_G連接至第三晶體管M₃的柵極，以此類推，第N-1晶體管M_N-1的柵極通過柵偏置電阻R_G連接至第N晶體管M_N的柵極，第N晶體管M_N的柵極通過柵公共電阻R_GC連接至柵偏置電壓V_G；

所述N個堆疊的晶體管中，每個晶體管的漏極和源極之間均連接有漏源電阻R_DS。

2.如權利要求1所述的射頻開關電路結構，其特征在于，當所述的N個堆疊的晶體管均存在體區時：

所述第一晶體管M₁的體區通過體偏置電阻R_B連接至第二晶體管M₂的體區，所述第二晶體管M₂的體區通過體偏置電阻R_B連接至第三晶體管M₃的體區，以此類推，第N-1晶體管M_N-1的體區通過體偏置電阻R_B連接至第N晶體管M_N的體區，第N晶體管M_N的體區通過體公共電阻R_BC連接至體偏置電壓V_B。

3.如權利要求1所述的射頻開關電路結構，其特征在于，所述的柵公共電阻R_GC的元件值大于柵偏置電阻R_G，即R_GC＞R_G；體公共電阻R_BC的元件值大于體偏置電阻R_B，即R_BC＞R_B。

4.如權利要求1所述的射頻開關電路結構，其特征在于，所述的柵公共電阻R_GC、柵偏置電阻R_G、體公共電阻R_BC、體偏置電阻R_B的元件值介于10K歐姆至于100K歐姆之間。

5.如權利要求1所述的射頻開關電路結構，其特征在于，所述的漏源電阻R_DS的元件值介于5K歐姆至于50K歐姆之間。

6.如權利要求1所述的射頻開關電路結構，其特征在于，當柵偏置電壓V_G為正電壓、體偏置電壓V_B為0V時，射頻開關電路結構處于接通狀態；當柵偏置電壓V_G為負電壓、體偏置電壓V_B為負電壓時，射頻開關電路結構處于關斷狀態。