[發明專利]襯底處理設備、襯底處理模塊和半導體器件制造方法

在審

• 申請號: 201910869816.0
• 申請日: 2019-09-16
• 公開（公告）號: CN111383949A
• 公開（公告）日: 2020-07-07
• 發明（設計）人: 金敬勛;文丁一;李衡周;宣鐘宇
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01J37/32
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 趙南;張帆

提供了一種襯底處理設備、襯底處理模塊和半導體器件制造方法。所述襯底處理模塊，包括：處理腔室，其被配置為對襯底執行處理工藝；傳送腔室，其設置在所述處理腔室的第一側上，其中，所述襯底在所述處理腔室和所述傳送腔室之間被傳送；光學發射光譜(OES)系統，其設置在所述處理腔室的第二側上，并被配置為監視所述處理腔室；和參考光源，其設置在所述傳送腔室中，并被配置為發射參考光以對所述OES系統進行校準。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2018年12月27日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請No.10-2018-0170925的優先權，其公開內容通過引用全部合并于此。

技術領域

與示例實施例一致的設備和方法涉及襯底處理設備、襯底處理模塊和制造半導體器件的方法，更具體地，涉及包括光學發射光譜(OES)系統的襯底處理設備、包括OES系統的襯底處理模塊以及使用OES系統的半導體器件制造方法。

背景技術

就制造半導體器件和平板顯示裝置的處理的小型化和進步而言，等離子體襯底處理設備正在被用于執行例如蝕刻處理、化學氣相沉積處理等。等離子體襯底處理設備被配置為向工作臺或電極提供射頻能量以在等離子體處理腔室內產生電場或磁場，并通過電磁場產生等離子體以對襯底進行處理。

發明內容

一個或多個實施例提供了一種具有改進的可靠性的襯底處理設備、襯底處理模塊和半導體器件制造方法。

根據示例實施例的一方面，提供了一種襯底處理模塊，包括：處理腔室，其被配置為對襯底執行處理工藝；傳送腔室，其設置在處理腔室的第一側上，其中，襯底在處理腔室和傳送腔室之間被傳送；光學發射光譜(OES)系統，其設置在處理腔室的第二側上，并被配置為監視處理腔室；和參考光源，其設置在傳送腔室中，并被配置為發射參考光以對OES系統進行校準。

根據另一示例實施例的一方面，提供了一種襯底處理設備，包括：腔室，其被配置為在其中容納襯底；傳送機器人，其設置在腔室中，并且被配置為將襯底從腔室傳送到腔室的外部；和參考光源，其設置在腔室中，并且被配置為發射參考光以監視腔室的外部。

根據另一示例實施例的一方面，提供了一種半導體器件制造方法，包括：對設置在處理腔室中的光學發射光譜(OES)系統進行校準，其中，通過將具有不同波長光譜的多個參考光從參考光源照射到OES系統來對OES系統進行校準；將襯底提供到處理腔室中；并且在處理腔室中對襯底執行等離子體處理。

附圖說明

圖1示出了根據示例實施例的襯底處理模塊的簡化平面圖；

圖2示出了沿圖1的線I-I'截取的截面圖；

圖3示出了展示根據示例實施例的使用襯底處理模塊的半導體器件制造方法的流程圖；

圖4至圖9示出了用于描述根據圖3的流程圖的半導體器件制造方法的各種圖和襯底處理模塊；

圖10A示出了展示根據示例實施例的參考光源的簡化圖；

圖10B示出了用于描述根據示例實施例的描述圖10A中所示的參考光源的操作的示意圖；

圖11A示出了展示根據另一示例實施例的參考光源的簡化圖；

和

圖11B示出了根據示例實施例的描述圖11A中所示的參考光源的操作的示意圖。

具體實施方式

圖1示出了根據示例實施例的襯底處理模塊1的簡化平面圖。襯底處理模塊1可以對襯底S執行等離子體處理。在示例實施例中，襯底S可以表示用于制造半導體器件的各種半導體襯底，諸如晶圓。