[發明專利]薄膜太陽能電池的光吸收層的制備方法

有效

• 申請號: 201910869277.0
• 申請日: 2019-09-12
• 公開（公告）號: CN110571155B
• 公開（公告）日: 2022-07-12
• 發明（設計）人: 王順;高傳增;李文杰;楊兵;李偉民;羅海林;馮葉;陳明;鐘國華;楊春雷
• 申請（專利權）人: 深圳先進技術研究院
• 主分類號: H01L21/36
• 分類號: H01L21/36;H01L21/363;H01L31/18;H01L31/032
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304
• 代理人: 孫偉峰;黃進

1.一種薄膜太陽能電池的光吸收層的制備方法，其特征在于，包括：

應用磁控濺射工藝制備獲得半導體預制層；

在所述半導體預制層上蒸發沉積形成硒薄膜層；所述硒薄膜層的厚度為700nm；

將沉積形成硒薄膜層后的半導體預制層置于退火爐中；

將所述半導體預制層加熱至80℃后恒溫3min；

將所述半導體預制層從80℃加熱升溫至500℃后恒溫6min，以使所述半導體預制層硒化；

將所述半導體預制層從所述500℃加熱升溫至560℃，恒溫1min后向所述退火爐中通入硫化氫氣體，繼續恒溫4min以使所述半導體預制層硫化，硫化結束之后自然冷卻至300°С時，先對所述退火爐的腔室進行抽真空處理然后通入氮氣保護氣體直至冷卻室溫，制備獲得硒化硫化的半導體光吸收層。

2.根據權利要求1所述的薄膜太陽能電池的光吸收層的制備方法，其特征在于，向所述退火爐中通入硫化氫氣體時，還通入氮氣，所述硫化氫氣體與所述氮氣的摩爾比為0.04～0.1。

3.根據權利要求1所述的薄膜太陽能電池的光吸收層的制備方法，其特征在于，所述半導體預制層的材料為銅銦鎵，其中，銅與銦鎵之和的摩爾比為0.9～0.95，鎵與銦鎵之和的摩爾比為0.15～0.3。

4.根據權利要求3所述的薄膜太陽能電池的光吸收層的制備方法，其特征在于，在所述半導體預制層上蒸發沉積形成硒薄膜層后，硒與銦鎵之和的摩爾比為1.5～1.8。

5.根據權利要求1所述的薄膜太陽能電池的光吸收層的制備方法，其特征在于，將沉積形成硒薄膜層后的半導體預制層置于退火爐中之后，先對所述退火爐的腔室進行洗氣處理然后進行抽真空處理。