[發明專利]一種彩膜基板、顯示面板及其制備方法在審
| 申請號: | 201910869218.3 | 申請日: | 2019-09-16 |
| 公開(公告)號: | CN110676293A | 公開(公告)日: | 2020-01-10 |
| 發明(設計)人: | 張良芬 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 44300 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) | 代理人: | 楊瑞 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光阻層 輔助陰極 黑色矩陣 顯示面板 陰極層 制備 黑色矩陣區域 彩膜基板 壓降 薄膜晶體管 非黑色矩陣 玻璃基板 依次設置 半透光 色阻層 背板 搭接 電阻 貼合 阻抗 | ||
本發明提供一種彩膜基板、顯示面板及其制備方法,包括依次設置的輔助陰極層、光阻層、RGB色阻層、黑色矩陣和玻璃基板,其中所述黑色矩陣正下方區域的所述光阻層的厚度大于非黑色矩陣下的所述光阻層的厚度,所述輔助陰極層設置于所述黑色矩陣區域下方的所述光阻層的下方。利用半透光罩技術或兩道光罩的方法制備黑色矩陣正上方的光阻層較厚,然后在黑色矩陣區域上方的光阻層上方制備輔助陰極層,由于下方的光阻層較高,從而上方的輔助陰極層也較高,便于彩膜基板與薄膜晶體管背板貼合時輔助陰極層與陰極層搭接;由于輔助陰極層阻抗較小,其與陰極層接觸后,陰極層的電阻會同步降低,從而減少壓降,改善顯示面板壓降的問題,提高顯示面板的品質。
技術領域
本發明涉及顯示面板技術領域,特別涉及一種顯示面板及其制備方法。
背景技術
有機發光二極管(organic light-emitting diode,OLED)具有超越LCD的顯示特性與品質,例如輕薄化、短的反應時間,低的驅動電壓、更好的顯示色彩以及顯示視角等優點,其受到大家廣泛的關注,近些年其發展日新月異,不僅可以制作曲面顯示,同時也逐漸向大尺寸發展。但是大尺寸的OLED又存在又壓降問題,尤其是對于頂發射的面板,目視可見的mura(亮度不均勻),陰極較薄導致的壓降問題更加亟待解決。
現有技術中,制作輔助電極以及陰極隔離柱,將陰極由原來的整面成膜改為隔離開搭接到下面的輔助電極上從而達到單獨控制陰極,從而減少壓降問題的發生;或者用激光將有機發光層燒斷,從而達到陰極和輔助電極連接的作用。
因此,確有必要來開發一種新型的顯示面板的制備方法,以克服現有技術的缺陷。
發明內容
本發明的一個目的是提供一種彩膜基板,其能夠解決現有技術中顯示面板陰極較薄導致的壓降問題。
為實現上述目的,本發明提供一種彩膜基板,包括依次設置的輔助陰極層、光阻層、RGB色阻層、黑色矩陣和玻璃基板,其中所述黑色矩陣正下方區域的所述光阻層的厚度大于非黑色矩陣下的所述光阻層的厚度,所述輔助陰極層設置于所述黑色矩陣區域下方的所述光阻層的下方。
本發明還提供一種顯示面板,包括依次設置的薄膜晶體管基板、陽極層、平坦層、有機發光層、陰極層和本發明涉及的所述彩膜基板;其中所述輔助陰極層與所述陰極層相接。
進一步的,在其他實施方式中,其中所述平坦層采用的材料為聚酰亞胺薄膜。
進一步的,在其他實施方式中,其中所述陽極層采用的材料包括銦錫金屬氧化物或銀金屬中的一種。
進一步的,在其他實施方式中,其中所述薄膜晶體管基板包括依次設置的基板層、遮光層、緩沖層、有源層、柵極絕緣層、柵極層、層間介質層、源漏極層和有機層。
進一步的,在其他實施方式中,其中所述源漏極層采用的材料包括鉬、鋁、鈦、銅或銦錫金屬氧化物中的一種。
進一步的,在其他實施方式中,其中所述柵極絕緣層采用的材料包括氧化硅或氮化硅中的一種。
為實現上述目的,本發明還提供一種制備本發明涉及的所述顯示面板的方法,包括以下步驟:
步驟S1:提供一薄膜晶體管基板,在所述薄膜晶體管基板上制備陽極層;
步驟S2:在所述陽極層上制備平坦層;
步驟S3:在所述平坦層上制備有機發光層;
步驟S4:在所述有機發光層上制備陰極層,形成薄膜晶體管背板;
步驟S5:提供一玻璃基板,在所述玻璃基板上制備黑色矩陣;
步驟S6:在所述黑色矩陣上制備RGB色阻層;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





