[發明專利]一種彩膜基板、顯示面板及其制備方法在審
| 申請號: | 201910869218.3 | 申請日: | 2019-09-16 |
| 公開(公告)號: | CN110676293A | 公開(公告)日: | 2020-01-10 |
| 發明(設計)人: | 張良芬 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 44300 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) | 代理人: | 楊瑞 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光阻層 輔助陰極 黑色矩陣 顯示面板 陰極層 制備 黑色矩陣區域 彩膜基板 壓降 薄膜晶體管 非黑色矩陣 玻璃基板 依次設置 半透光 色阻層 背板 搭接 電阻 貼合 阻抗 | ||
1.一種彩膜基板,其特征在于,包括依次設置的輔助陰極層、光阻層、RGB色阻層、黑色矩陣和玻璃基板,其中所述黑色矩陣正下方區域的所述光阻層的厚度大于非黑色矩陣下的所述光阻層的厚度,所述輔助陰極層設置于所述黑色矩陣區域下方的所述光阻層的下方。
2.一種顯示面板,其特征在于,包括依次設置的薄膜晶體管基板、陽極層、平坦層、有機發光層、陰極層和根據權利要求1所述的彩膜基板;其中所述輔助陰極層與所述陰極層相接。
3.根據權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述陽極層采用的材料包括銦錫金屬氧化物或銀金屬中的一種。
4.根據權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述平坦層采用的材料為聚酰亞胺薄膜。
5.根據權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述薄膜晶體管基板包括依次設置的基板層、遮光層、緩沖層、有源層、柵極絕緣層、柵極層、層間介質層、源漏極層和有機層。
6.根據權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述源漏極層采用的材料包括鉬、鋁、鈦、銅或銦錫金屬氧化物中的一種。
7.一種制備根據權利要求2-6任一項所述的顯示面板的方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟S1:提供一薄膜晶體管基板,在所述薄膜晶體管基板上制備陽極層;
步驟S2:在所述陽極層上制備平坦層;
步驟S3:在所述平坦層上制備有機發光層;
步驟S4:在所述有機發光層上制備陰極層,形成薄膜晶體管背板;
步驟S5:提供一玻璃基板,在所述玻璃基板上制備黑色矩陣;
步驟S6:在所述黑色矩陣上制備RGB色阻層;
步驟S7:在所述RGB色阻層上制備光阻層,其中所述黑色矩陣區域上方的所述光阻層的厚度大于非黑色矩陣區域上的所述光阻層的厚度;
步驟S8:在所述黑色矩陣區域上方的所述光阻層的上方制備輔助電極層,形成彩膜基板;
步驟S9:將所述薄膜晶體管背板和所述彩膜基板貼合。
8.根據權利要求7所述的制備方法,其特征在于,所述平坦層是采用化學氣相沉積方式制備的。
9.根據權利要求7所述的制備方法,其特征在于,所述光阻層是采用半透光罩技術或兩道光罩的方法制備的。
10.根據權利要求7所述的制備方法,其特征在于,所述步驟S9是通過封裝的方式將所述薄膜晶體管背板和所述彩膜基板貼合。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





