[發明專利]金剛石基板生成方法有效
| 申請號: | 201910869124.6 | 申請日: | 2019-09-16 |
| 公開(公告)號: | CN110961803B | 公開(公告)日: | 2022-09-30 |
| 發明(設計)人: | 野本朝輝;平田和也 | 申請(專利權)人: | 株式會社迪思科 |
| 主分類號: | H01L21/428 | 分類號: | H01L21/428;H01L21/02;B23K26/55 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 喬婉;于靖帥 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 金剛石 生成 方法 | ||
提供金剛石基板生成方法,能夠從金剛石錠高效且廉價地生成金剛石基板。該金剛石基板生成方法包含如下的工序:剝離帶形成工序,一邊使金剛石錠(2)和聚光點(FP)在與結晶面(110)垂直的[110]方向上相對地移動一邊對金剛石錠(2)照射激光光線(LB),從而形成剝離帶(22);分度進給工序,將金剛石錠(2)和聚光點(FP)在與結晶面(001)平行且與[110]方向垂直的方向上相對地進行分度進給;剝離層形成工序,重復實施該剝離帶形成工序和該分度進給工序而在金剛石錠(2)的內部形成與結晶面(001)平行的剝離層(24);以及剝離工序,從金剛石錠(2)的剝離層(24)剝離要生成的金剛石基板。
技術領域
本發明涉及金剛石基板生成方法,從結晶面(001)為平坦面的金剛石錠生成金剛石基板。
背景技術
IC、LSI等多個器件是在Si(硅)等晶片形狀的半導體基板的上表面上層疊功能層且由交叉的多條分割預定線對該功能層進行劃分而形成的,該半導體晶片通過切割裝置、激光加工裝置而分割成各個器件芯片,分割得到的各器件芯片被用于移動電話、個人計算機等電子設備。
近年來,從絕緣耐壓、熱傳導率、物理特性優異的方面出發,將金剛石用作半導體基板備受關注(例如,參照下述專利文獻1和2)。
專利文獻1:日本特開2008-78611號公報
專利文獻2:日本特開2015-57824號公報
但是,存在如下的問題:從金剛石錠高效地生成金剛石基板的技術仍在開發中,金剛石基板昂貴而不經濟。
發明內容
由此,本發明的目的在于提供金剛石基板生成方法,能夠從金剛石錠高效且廉價地生成金剛石基板。
根據本發明,提供金剛石基板生成方法,從結晶面(001)為平坦面的金剛石錠生成金剛石基板,其中,該金剛石基板生成方法具有如下的工序:聚光點定位工序,將對于金剛石具有透過性的波長的激光光線的聚光點定位于距離該平坦面相當于要生成的金剛石基板的厚度的深度;剝離帶形成工序,在實施了該聚光點定位工序之后,一邊使金剛石錠和聚光點在與結晶面(110)垂直的[110]方向上相對地移動一邊對金剛石錠照射激光光線,從而形成剝離帶;分度進給工序,在實施了該剝離帶形成工序之后,將金剛石錠和聚光點在與結晶面(001)平行且與[110]方向垂直的方向上相對地進行分度進給;剝離層形成工序,重復實施該剝離帶形成工序和該分度進給工序而在金剛石錠的內部形成與結晶面(001)平行的剝離層;以及剝離工序,在實施了該剝離層形成工序之后,從金剛石錠的該剝離層剝離要生成的金剛石基板。
優選在該分度進給工序中,按照相鄰的剝離帶接觸的方式進行分度進給。
根據本發明的金剛石基板生成方法,能夠從金剛石錠高效且廉價地生成金剛石基板。
附圖說明
圖1是金剛石錠的立體圖。
圖2的(a)是示出實施剝離帶形成工序的狀態的立體圖,圖2的(b)是示出實施剝離帶形成工序的狀態的主視圖,圖2的(c)是形成有剝離帶的金剛石錠的剖視圖。
圖3的(a)是示出將金剛石錠定位于剝離裝置的下方的狀態的立體圖,圖3的(b)是示出實施剝離工序的狀態的立體圖,圖3的(c)是金剛石錠和金剛石基板的立體圖。
標號說明
2:金剛石錠;18:結晶構造被破壞的部分;20:裂紋;22:剝離帶;24:剝離層;LB:激光光線;FP:聚光點。
具體實施方式
以下,參照附圖對本發明的金剛石基板生成方法的優選實施方式進行說明。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于株式會社迪思科,未經株式會社迪思科許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910869124.6/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:厚度測量裝置
- 下一篇:破壞試驗裝置和碎片回收方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





