[發明專利]金剛石基板生成方法有效
| 申請號: | 201910869124.6 | 申請日: | 2019-09-16 |
| 公開(公告)號: | CN110961803B | 公開(公告)日: | 2022-09-30 |
| 發明(設計)人: | 野本朝輝;平田和也 | 申請(專利權)人: | 株式會社迪思科 |
| 主分類號: | H01L21/428 | 分類號: | H01L21/428;H01L21/02;B23K26/55 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 喬婉;于靖帥 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 金剛石 生成 方法 | ||
1.一種金剛石基板生成方法,從結晶面(001)為平坦面的金剛石錠生成金剛石基板,其中,
該金剛石基板生成方法具有如下的工序:
聚光點定位工序,將對于金剛石具有透過性的波長的激光光線的聚光點定位于距離該平坦面相當于要生成的金剛石基板的厚度的深度;
剝離帶形成工序,在實施了該聚光點定位工序之后,一邊使金剛石錠和聚光點在與結晶面(110)垂直的[110]方向上相對地移動一邊對金剛石錠照射激光光線,從而形成剝離帶;
分度進給工序,在實施了該剝離帶形成工序之后,將金剛石錠和聚光點在與結晶面(001)平行且與[110]方向垂直的方向上相對地進行分度進給;
剝離層形成工序,重復實施該剝離帶形成工序和該分度進給工序而在金剛石錠的內部形成與結晶面(001)平行的剝離層;以及
剝離工序,在實施了該剝離層形成工序之后,從金剛石錠的該剝離層剝離要生成的金剛石基板。
2.根據權利要求1所述的金剛石基板生成方法,其中,
在該分度進給工序中,按照相鄰的該剝離帶接觸的方式進行分度進給。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





