[發明專利]半導體裝置的制備方法有效
| 申請號： | 201910867285.1 | 申請日： | 2019-09-12 |
| 公開（公告）號： | CN112490181B | 公開（公告）日： | 2023-03-24 |
| 發明（設計）人： | 崔鍾武;金成基 | 申請（專利權）人： | 夏泰鑫半導體（青島）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 44334 | 代理人： | 彭輝劍;龔慧惠 |
| 地址： | 266000 山東省青島市黃島區*** | 國省代碼： | 山東;37 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 制備 方法 | ||
1.一種半導體裝置的制備方法，包括如下步驟：
提供一基板，所述基板中形成有溝槽，所述溝槽的槽壁上附著有氮化鈦，所述溝槽中填充有導電材料；
對溝槽中的導電材料進行干法蝕刻以部分去除溝槽中的導電材料；
對溝槽未填充導電材料的部分的槽壁進行惰性氣體離子轟擊以降低溝槽的槽壁上的氮化鈦和其他雜質與槽壁的結合；
對溝槽的槽壁進行濕法蝕刻以去除溝槽的槽壁上的氮化鈦和其他雜質；以及
在所述溝槽中的導電材料上形成絕緣材料。
2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述干法蝕刻包括采用蝕刻氣體對導電材料進行蝕刻。
3.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述濕法蝕刻包括采用含有硫酸的蝕刻液。
4.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述半導體裝置為動態隨機存儲器。
5.如權利要求4所述的制備方法，其特征在于：所述基板為硅基板，所述導電材料為金屬鎢。
6.如權利要求4所述的制備方法，其特征在于：在所述溝槽中的導電材料上形成絕緣材料的步驟包括先沉積第一種絕緣材料層然后再沉積第二種絕緣材料層直至填滿所述溝槽；
第一種絕緣材料層和第二種絕緣材料層的材質不相同。
7.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述惰性氣體離子轟擊采用氬離子，離子狀態為Ar+或者Ar2+，離子能量為500eV-15KeV，離子濃度為大于等于1×1015cm-2且小于等于1×1016cm-2。
8.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述溝槽的槽壁上附著有氮化鈦被替換為Ti、Ta、TaN和TiW中的至少一種。
9.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述干法蝕刻包括采用SF6蝕刻金屬鎢，采用Cl2蝕刻氮化鈦。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于夏泰鑫半導體（青島）有限公司，未經夏泰鑫半導體（青島）有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910867285.1/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
