[發(fā)明專(zhuān)利]等離子體處理設(shè)備和使用該設(shè)備制造半導(dǎo)體器件的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910864306.4
• 申請(qǐng)日: 2019-09-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111276382A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-06-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 路四清;李天揆;恭史野口
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01J37/32
• 分類(lèi)號(hào): H01J37/32
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 趙南;張青

一種等離子體處理設(shè)備包括：處理腔室；襯底支撐卡盤(pán)，其被構(gòu)造為支撐所述處理腔室中的襯底，該襯底支撐卡盤(pán)包括彼此對(duì)稱(chēng)地分離的上冷卻通道和下冷卻通道；和支撐卡盤(pán)溫度控制器，其被配置為向上冷卻通道供應(yīng)第一冷卻劑并向下冷卻通道供應(yīng)第二冷卻劑。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求于2018年12月4日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)No.10-2018-0154689的優(yōu)先權(quán)，其公開(kāi)內(nèi)容通過(guò)引用整體合并于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明構(gòu)思涉及一種半導(dǎo)體制造設(shè)備，更具體地，涉及一種等離子體處理設(shè)備。本公開(kāi)還涉及使用所述半導(dǎo)體制造設(shè)備制造半導(dǎo)體器件的方法。

背景技術(shù)

通常，可以執(zhí)行諸如沉積、蝕刻和清洗的一系列處理以制造半導(dǎo)體器件。這種處理可以通過(guò)設(shè)置有處理腔室的沉積、蝕刻或清洗設(shè)備來(lái)完成。例如，在使用等離子體處理技術(shù)的蝕刻處理的情況下，廣泛地使用用于使用等離子體(諸如電容耦合等離子體或電感耦合等離子體)對(duì)襯底上的材料膜進(jìn)行蝕刻的等離子體蝕刻設(shè)備。在這種等離子體處理過(guò)程中，期望精確地控制晶圓的溫度，其影響等離子體處理工藝的均勻性。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明構(gòu)思提供了一種能夠提高等離子體處理工藝的均勻性的等離子體處理設(shè)備。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一方面，提供了一種等離子處理設(shè)備，包括：處理腔室；襯底支撐卡盤(pán)，其被構(gòu)造為支撐處理腔室中的襯底，襯底支撐卡盤(pán)包括彼此對(duì)稱(chēng)地分離的上冷卻通道和下冷卻通道；和支撐卡盤(pán)溫度控制器，其被配置為向上冷卻通道供應(yīng)第一冷卻劑并向下冷卻通道供應(yīng)第二冷卻劑。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一方面，提供了一種等離子處理設(shè)備，包括：處理腔室；襯底支撐卡盤(pán)，其被構(gòu)造為支撐處理腔室中的襯底，襯底支撐卡盤(pán)包括相對(duì)于水平地橫穿襯底支撐卡盤(pán)的平面彼此對(duì)稱(chēng)的上冷卻通道和下冷卻通道；和支撐卡盤(pán)溫度控制器，其被配置為向上冷卻通道供應(yīng)第一冷卻劑并向下冷卻通道供應(yīng)第二冷卻劑，并且被配置為確定第一冷卻劑的流動(dòng)方向和第二冷卻劑的流動(dòng)方向。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一方面，提供了一種等離子處理設(shè)備，包括：處理腔室；和襯底支撐卡盤(pán)，其被構(gòu)造為支撐處理腔室中的襯底，襯底支撐卡盤(pán)包括被構(gòu)造為使冷卻劑流動(dòng)的冷卻通道以及從冷卻通道的內(nèi)壁突出的鰭。

附圖說(shuō)明

從以下結(jié)合附圖的詳細(xì)描述，將更清楚地理解本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例，在附圖中：

圖1是示意性地示出根據(jù)實(shí)施例的等離子體處理設(shè)備的框圖；

圖2是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的等離子體處理設(shè)備的框圖，其中，示意性地示出了襯底支撐卡盤(pán)的橫截面，以解釋根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的對(duì)襯底支撐卡盤(pán)的溫度進(jìn)行調(diào)節(jié)的方法；

圖3是示出圖2的上冷卻通道中的第一冷卻劑的流動(dòng)方向和下冷卻通道中的第二冷卻劑的流動(dòng)方向的透視圖；

圖4是示出在圖2的襯底支撐卡盤(pán)的中心和邊緣之間的第一冷卻劑的溫度變化、第二冷卻劑的溫度變化以及襯底支撐卡盤(pán)的溫度變化的曲線圖；

圖5是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的等離子體處理設(shè)備的示意圖，其中示意性地示出襯底支撐卡盤(pán)的橫截面，以解釋根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的對(duì)襯底支撐卡盤(pán)的溫度進(jìn)行調(diào)節(jié)的方法；

圖6是示出圖5的上冷卻通道中的第一冷卻劑的流動(dòng)方向和下冷卻通道中的第二冷卻劑的流動(dòng)方向的透視圖；

圖7是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的等離子體處理設(shè)備的示意圖，其中示意性地示出襯底支撐卡盤(pán)的橫截面，以解釋根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的對(duì)襯底支撐卡盤(pán)的溫度進(jìn)行調(diào)節(jié)的方法；

圖8是示出圖7的上冷卻通道中的第一冷卻劑的流動(dòng)方向和下冷卻通道中的第二冷卻劑的流動(dòng)方向的透視圖；