[發明專利]等離子體處理設備和使用該設備制造半導體器件的方法

在審

• 申請號: 201910864306.4
• 申請日: 2019-09-12
• 公開（公告）號: CN111276382A
• 公開（公告）日: 2020-06-12
• 發明（設計）人: 路四清;李天揆;恭史野口
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 趙南;張青

1.一種等離子處理設備，包括：

處理腔室；

襯底支撐卡盤，其被構造為支撐所述處理腔室中的襯底，所述襯底支撐卡盤包括彼此對稱地分離的上冷卻通道和下冷卻通道；和

支撐卡盤溫度控制器，其被配置為向所述上冷卻通道供應第一冷卻劑并向所述下冷卻通道供應第二冷卻劑。

2.如權利要求1所述的等離子體處理設備，其中，所述支撐卡盤溫度控制器被配置為控制所述第一冷卻劑和所述第二冷卻劑在彼此相反的方向上流動。

3.如權利要求1所述的等離子體處理設備，其中，所述支撐卡盤溫度控制器被配置為控制所述第一冷卻劑和所述第二冷卻劑在相同的方向上流動。

4.如權利要求1所述的等離子處理設備，其中，

所述上冷卻通道沿螺旋方向從與所述襯底支撐卡盤的中心鄰近的第一端延伸到與所述襯底支撐卡盤的邊緣鄰近的第二端；并且

所述下冷卻通道沿螺旋方向從與所述襯底支撐卡盤的中心鄰近的第三端延伸到與所述襯底支撐卡盤的邊緣鄰近的第四端。

5.如權利要求4所述的等離子體處理設備，其中，所述支撐卡盤溫度控制器被配置為控制所述第一冷卻劑和所述第二冷卻劑在彼此相反的方向上流動，使得：

當所述第一冷卻劑通過所述上冷卻通道的與所述襯底支撐卡盤的中心鄰近的第一端被引入所述上冷卻通道時，所述第二冷卻劑通過所述下冷卻通道的與所述襯底支撐卡盤的邊緣鄰近的第四端被引入所述下冷卻通道；并且

當所述第一冷卻劑通過所述上冷卻通道的與所述襯底支撐卡盤的邊緣鄰近的第二端被引入所述上冷卻通道時，所述第二冷卻劑通過所述下冷卻通道的與所述襯底支撐卡盤的中心鄰近的第三端被引入所述下冷卻通道。

6.如權利要求5所述的等離子體處理設備，其中，所述支撐卡盤溫度控制器還被配置為等同地調節所述第一冷卻劑的流速和所述第二冷卻劑的流速。

7.如權利要求4所述的等離子體處理設備，其中，所述支撐卡盤溫度控制器被配置為控制所述第一冷卻劑和所述第二冷卻劑在彼此相同的方向上流動，使得：

當所述第一冷卻劑通過所述上冷卻通道的與所述襯底支撐卡盤的中心鄰近的第一端被引入所述上冷卻通道時，所述第二冷卻劑通過所述下冷卻通道的與所述襯底支撐卡盤的中心鄰近的第三端被引入所述下冷卻通道；并且

當所述第一冷卻劑通過所述上冷卻通道的與所述襯底支撐卡盤的邊緣鄰近的第二端被引入所述上冷卻通道時，所述第二冷卻劑通過所述下冷卻通道的與所述襯底支撐卡盤的邊緣鄰近的第四端被引入所述下冷卻通道。

8.如權利要求1所述的等離子體處理設備，其中，所述支撐卡盤溫度控制器包括：

分流器，其被配置為對供應到所述上冷卻通道的第一冷卻劑的流速和供應到所述下冷卻通道的第二冷卻劑的流速進行調節；

匯流器，從所述上冷卻通道流出的第一冷卻劑和從所述下冷卻通道流出的第二冷卻劑在所述匯流器中被匯流；和

冷卻劑溫度控制器，其被配置為對在所述匯流器匯流的冷卻劑的溫度進行調節。

9.如權利要求8所述的等離子體處理設備，其中，所述分流器還被配置為等同地調節所述第一冷卻劑的流速和所述第二冷卻劑的流速。

10.如權利要求8所述的等離子體處理設備，其中，所述分流器還被配置為將所述第一冷卻劑的流速和所述第二冷卻劑的流速調節為彼此不同。

11.如權利要求1所述的等離子體處理設備，其中，所述襯底支撐卡盤包括：

中心板，其設置有所述上冷卻通道和所述下冷卻通道；

上蓋板，其附接到所述中心板的上表面，以覆蓋所述上冷卻通道；和

下蓋板，其附接到所述中心板的與所述中心板的上表面相對的下表面，以覆蓋所述下冷卻通道。