[發明專利]一種致密五氧化二鉭薄膜的制備方法

在審

• 申請號: 201910864226.9
• 申請日: 2019-09-12
• 公開（公告）號: CN110468378A
• 公開（公告）日: 2019-11-19
• 發明（設計）人: 任衛;楊光道;張永超;朱楠楠;杜淑菊;楊朝寧;楊炎翰;李璐;王勇剛;姚國光;商世廣
• 申請（專利權）人: 西安郵電大學;陜西師范大學
• 主分類號: C23C14/30
• 分類號: C23C14/30;C23C14/08;C23C14/58
• 代理公司: 50231 重慶萃智邦成專利代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 竺棟<國際申請>=<國際公布>=<進入國

1.一種致密五氧化二鉭薄膜的制備方法，其特征在于：在真空條件下，以高能電子束對五氧化二鉭顆粒進行加熱處理，在硅基片上沉積五氧化二鉭薄膜，最后在300~900℃的空氣氣氛中進行退火處理，得到結晶度改善的五氧化二鉭薄膜。

2.如權利要求1所述的致密五氧化二鉭薄膜的制備方法，其特征在于，制備致密五氧化二鉭薄膜的具體過程是：

S1、將清洗過的高純度硅基片置于電子束蒸發裝置中的樣品夾，將高純度的五氧化二鉭顆粒放入銅坩堝中；

S2、使腔體真空度降至1×10^-3Pa以下，同時對硅基片加熱至300℃并維持恒溫；

S3、通過手動方式利用e型電子槍發射的高能電子束對五氧化二鉭顆粒進行預融處理；

S4、進行離子源處理，清理預融過程中腔內殘余氣體；

S5、設定鍍膜工藝參數，使五氧化二鉭薄膜沉積速率為0.2～0.4nm/s，開始鍍膜；

S6、將樣品在空氣中進行300～900℃的退火處理，得到結晶度改善的五氧化二鉭薄膜。

3.根據權利要求1或2所述的致密五氧化二鉭薄膜的制備方法，其特征在于：所述五氧化二鉭顆粒的純度為99.99%以上。

4.根據權利要求1或2所述的致密五氧化二鉭薄膜的制備方法，其特征在于：所述硅基片在丙酮中超聲清洗15分鐘，然后在無水乙醇中超聲清洗15分鐘，最后在去離子水中超聲清洗15分鐘。

5.根據權利要求2所述的致密五氧化二鉭薄膜的制備方法，其特征在于：所述e型電子槍燈絲電流為300～320 mA。

6.根據權利要求2所述的五氧化二鉭薄膜的制備方法，其特征在于：所述五氧化二鉭顆粒與硅基片的距離為130～140 cm，五氧化二鉭顆粒與電子槍燈絲的距離為20～30 mm。

7.根據權利要求1或2所述的五氧化二鉭薄膜的制備方法，其特征在于：所述退火處理的時間為20～60分鐘。

8.根據權利要求2所述的五氧化二鉭薄膜的制備方法，其特征在于：所述五氧化二鉭顆粒薄膜連續沉積兩層，厚度均為50 nm。