[發明專利]顯示設備在審
| 申請號: | 201910859231.0 | 申請日: | 2019-09-11 |
| 公開(公告)號: | CN110911448A | 公開(公告)日: | 2020-03-24 |
| 發明(設計)人: | 金南珍 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 尹淑梅;劉燦強 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 設備 | ||
1.一種顯示設備,所述顯示設備包括:
基體層,顯示區域和圍繞所述顯示區域的非顯示區域被限定在所述基體層上;
電路層,設置在所述基體層上并且包括多個絕緣層;
像素層,設置在所述顯示區域中并且包括多個有機發光二極管;
封裝層,設置在所述像素層上以覆蓋所述像素層;以及
突出構件,在所述非顯示區域中設置在所述電路層與所述封裝層之間,
其中,堤結合孔在所述非顯示區域中被限定在所述電路層中,并且
其中,所述堤結合孔被限定為穿過所述多個絕緣層中的至少最上絕緣層,并且在平面上與所述突出構件疊置。
2.根據權利要求1所述的顯示設備,其中:
所述突出構件設置為多個,并且
所述突出構件包括:壩,設置為圍繞所述顯示區域;以及堤,設置在所述壩的在第一方向上的外側上,并且所述堤結合孔在所述平面上與所述堤疊置。
3.根據權利要求2所述的顯示設備,其中,所述電路層還包括:
阻擋層,設置在所述基體層上;
多個薄膜晶體管,設置在所述阻擋層上;以及
多個導電圖案,在所述非顯示區域中設置在所述阻擋層上,并且
所述多個絕緣層包括:多個中間絕緣層,設置在所述阻擋層上;以及上絕緣層,設置在所述多個中間絕緣層上以覆蓋所述多個薄膜晶體管和所述多個導電圖案。
4.根據權利要求3所述的顯示設備,其中:
所述堤結合孔被限定為穿過所述上絕緣層以暴露所述中間絕緣層的一部分,并且
所述堤和所述中間絕緣層通過所述堤結合孔彼此結合。
5.根據權利要求4所述的顯示設備,其中:
封裝結合孔被限定為在所述非顯示區域中穿過至少所述上絕緣層,并且
所述封裝結合孔在所述平面上限定在所述堤與所述壩之間。
6.根據權利要求5所述的顯示設備,其中:
所述封裝結合孔被限定為穿過所述上絕緣層和所述多個中間絕緣層,并且
所述封裝層和所述阻擋層通過所述封裝結合孔彼此結合。
7.根據權利要求3所述的顯示設備,其中:
所述堤結合孔被限定為穿過所述上絕緣層、所述多個中間絕緣層和所述阻擋層,并且
所述堤和所述基體層通過所述堤結合孔彼此結合。
8.根據權利要求7所述的顯示設備,其中,所述堤結合孔在所述平面上不與所述多個導電圖案疊置,并且與所述多個導電圖案絕緣。
9.根據權利要求3所述的顯示設備,其中:
所述電路層包括被限定為在所述非顯示區域中穿過至少所述上絕緣層的壩結合孔,并且
所述壩結合孔在所述平面上與所述壩疊置。
10.根據權利要求9所述的顯示設備,其中,所述壩結合孔在所述平面上與所述多個導電圖案的至少一部分疊置,并且與所述多個導電圖案絕緣。
11.根據權利要求9所述的顯示設備,其中:
所述壩結合孔被限定為穿過所述上絕緣層和所述多個中間絕緣層,并且
所述壩和所述阻擋層通過所述壩結合孔彼此結合。
12.根據權利要求11所述的顯示設備,其中,所述壩結合孔在所述平面上不與所述多個導電圖案疊置,并且與所述多個導電圖案絕緣。
13.根據權利要求3所述的顯示設備,其中:
所述壩設置為多個,
所述壩包括:
第一壩,在所述平面上具有圍繞所述顯示區域的框形狀;以及
第二壩,在所述平面上具有圍繞所述第一壩的框形狀,并且
所述第一壩和所述第二壩中的至少一個與所述多個導電圖案疊置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





