[發明專利]一種單向透光玻璃及制備方法

有效

• 申請號: 201910859206.2
• 申請日: 2019-09-11
• 公開（公告）號: CN110550868B
• 公開（公告）日: 2021-12-10
• 發明（設計）人: 李旺;唐鹿
• 申請（專利權）人: 江西科技學院
• 主分類號: C03C17/34
• 分類號: C03C17/34
• 代理公司: 北京科家知識產權代理事務所(普通合伙) 11427
• 代理人: 陳娟

1.一種單向透光玻璃，包括：玻璃基板以及依次疊加設置在所述玻璃基板一側表面的復合電介質層、非晶硅層、第一SiOx層、微晶硅層、第二SiOx層；其中，所述復合電介質層和所述非晶硅層組成第一光學模塊，所述第一SiOx層、所述微晶硅層和所述第二SiOx層組成第二光學模塊；所述復合電介質層、所述非晶硅層、所述第一SiOx層、所述微晶硅層、所述第二SiOx層依次沉積在所述玻璃基板同一側面；

所述復合電介質層的厚度為12-20nm，所述復合電介質層的折射率在1.6-2.2之間；所述非晶硅層的厚度為20-35nm，折射率在3.2-3.7之間；所述第一SiOx層的厚度為20-40nm，折射率在1.3-2.3；所述微晶硅層厚度為10-15nm，折射率在3.6-3.8；所述第二SiOx層的厚度為40-80nm，折射率在2.3-2.7。

2.根據權利要求1所述的一種單向透光玻璃，其特征在于：所述復合電介質層包括SiOx、SiNx、SiNyOx一種或者多種復合薄膜。

3.根據權利要求1所述的一種單向透光玻璃，其特征在于：所述復合電介質層、所述非晶硅層、所述第一SiOx層、所述微晶硅層、所述第二SiOx層均能夠通過等離子體增強化學的氣相沉積法制備沉積。

4.根據權利要求1-3中任一項所述的一種單向透光玻璃的制備方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：

S1、在所述玻璃基板上沉積復合電介質層；

S2、在所述復合電介質層上采用等離子增強化學氣相沉積法沉積非晶硅層；

S3、在所述非晶硅層上采用等離子增強化學氣相沉積法沉積第一SiOx層；

S4、在所述第一SiOx層上采用等離子增強化學氣相沉積法沉積微晶硅層；

S5、在所述微晶硅上采用等離子增強化學氣相沉積法沉積第二SiOx層。

5.根據權利要求4所述的一種單向透光玻璃的制備方法，其特征在于：所述復合電介質層采用等離子增強化學氣相沉積法制備，制備工藝為：沉積溫度180-240度；沉積時設備腔體中的壓力為30-60Pa；等離子體的功率密度為300-450W/m2；采用SiH4 ,CO2 ,NH3為反應源氣體，其中SiH4：CO2：NH3的流量比為1：(0-1 .2)：(0-0 .8)。

6.根據權利要求4所述的一種單向透光玻璃的制備方法，其特征在于：所述非晶硅層采用等離子增強化學氣相沉積法制備，制備工藝為：沉積溫度180-220度；沉積時設備腔體中的壓力為30-45Pa；等離子體的功率密度為400-600W/m2；采用SiH4和H2為反應源氣體，其中SiH4：H2的流量比為1：(0 .8-1 .4)。

7.根據權利要求4所述的一種單向透光玻璃的制備方法，其特征在于：所述第一SiOx層采用等離子增強化學氣相沉積法制備，制備工藝為：沉積溫度180-220度；沉積時設備腔體中的壓力為30-55Pa；等離子體的功率密度為500-650W/m2；采用SiH4和CO2為反應源氣體，其中SiH4：CO2的流量比為1：(1 .2-2 .0)。

8.根據權利要求4所述的一種單向透光玻璃的制備方法，其特征在于：所述微晶硅層采用等離子增強化學氣相沉積法制備，制備工藝為：沉積溫度160-200度；沉積時設備腔體中的壓力為50-70Pa；等離子體的功率密度為700-1100W/m2；采用SiH4和H2為反應源氣體，其中SiH4：H2的流量比為1：(0 .5-1 .2)。

9.根據權利要求4所述的一種單向透光玻璃的制備方法，其特征在于：所述第二SiOx層采用等離子增強化學氣相沉積法制備，制備工藝為：沉積溫度180-220度；沉積時設備腔體中的壓力為30-55Pa；等離子體的功率密度為500-650W/m2；采用SiH4和CO2為反應源氣體，其中SiH4：CO2的流量比為1：(0 .6-1 .2)。