[發明專利]一種擴散電阻的版圖結構

有效

• 申請號: 201910858061.4
• 申請日: 2019-09-11
• 公開（公告）號: CN110739301B
• 公開（公告）日: 2021-11-16
• 發明（設計）人: 熊俊;朱敏
• 申請（專利權）人: 芯創智（北京）微電子有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L27/06;H01L23/64
• 代理公司: 北京天悅專利代理事務所(普通合伙) 11311
• 代理人: 田明;楊方

1.一種擴散電阻的版圖結構，其特征在于，所述版圖結構包括：阱、位于所述阱內的擴散區和多叉指MOS晶體管，所述多叉指MOS晶體管包括：多個平行分布的條狀柵極、多個源極和多個漏極，所述多個平行分布的條狀柵極將所述擴散區隔成多個擴散區域，所述多個源極和所述多個漏極交替分布于所述多個擴散區域內；

所述多叉指MOS晶體管的相鄰兩個柵極中間的擴散區域構成一個電阻單元，所有電阻單元通過金屬導線連接構成擴散電阻；

所述多叉指MOS晶體管的柵極連接高電位或低電位，用以使所述多叉指MOS晶體管工作在截止區，所述多叉指MOS晶體管的源極和漏極兩端均設置有接觸孔；

所述多叉指MOS晶體管兩端的接觸孔通過金屬導線連接出來作為所述擴散電阻的兩端，所述阱為所述擴散電阻的第三端且連接相應的高電位或低電位。

2.根據權利要求1所述的一種擴散電阻的版圖結構，其特征在于，所述多個擴散區域中最左邊和最右邊的兩個擴散區域用于作為所述擴散電阻的假電阻單元。

3.根據權利要求1所述的一種擴散電阻的版圖結構，其特征在于，所述版圖結構還包括：覆蓋所述多叉指MOS晶體管的電阻識別層，所述電阻識別層的高度為所述擴散電阻的長度，用于計算所述擴散電阻的阻值。

4.根據權利要求3所述的一種擴散電阻的版圖結構，其特征在于，所述擴散電阻的長度為所述多叉指MOS晶體管的源極/漏極兩端的接觸孔之間的距離，所述電阻單元的寬度為所述多叉指MOS晶體管的相鄰兩個柵極之間的距離。

5.根據權利要求3所述的一種擴散電阻的版圖結構，其特征在于，若所述多叉指MOS晶體管為PMOS晶體管，則所述多叉指MOS晶體管的柵極連接高電位，所述阱為N阱且作為所述擴散電阻的第三端連接高電位。

6.根據權利要求3所述的一種擴散電阻的版圖結構，其特征在于，若所述多叉指MOS晶體管為NMOS晶體管，則所述多叉指MOS晶體管的柵極連接低電位，所述阱為P阱且作為所述擴散電阻的第三端連接低電位。

7.根據權利要求1-6任一項所述的一種擴散電阻的版圖結構，其特征在于，當所述多叉指MOS晶體管的叉指數為2n時，n為正整數，2n個平行分布條狀柵極將所述擴散區隔成2n+1個擴散區域，源極和漏極交替分布于2n+1個擴散區域內，2n個柵極連接高電位，中間的2n-1個擴散區域構成2n-1個電阻單元，2n-1個電阻單元通過金屬導線連接構成擴散電阻，最左邊和最右邊呈對角分布的兩個接觸孔通過金屬導線連接出來作為所述擴散電阻的兩端，所述阱為所述擴散電阻的第三端且連接高/低電位。

8.根據權利要求7所述的一種擴散電阻的版圖結構，其特征在于，最左邊和最右邊的擴散區域內均為源極且作為假電阻單元。

9.根據權利要求1-6任一項所述的一種擴散電阻的版圖結構，其特征在于，當所述多叉指MOS晶體管的叉指數為2n+1時，n為正整數，2n+1個平行分布條狀柵極將所述擴散區隔成2n+2個擴散區域，源極和漏極交替分布于2n+2個擴散區域內，2n+1個柵極連接低電位，中間的2n個擴散區域構成2n個電阻單元，2n個電阻單元通過金屬導線連接構成擴散電阻，最左邊和最右邊呈對角分布的兩個接觸孔通過金屬導線連接出來作為所述擴散電阻的兩端，所述阱為所述擴散電阻的第三端且連接高/低電位。

10.根據權利要求9所述的一種擴散電阻的版圖結構，其特征在于，最左邊的擴散區域內為源極，最右邊的擴散區域內為漏極，均作為假電阻單元。