[發(fā)明專利]基片處理方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910857745.2
• 申請日: 2019-09-09
• 公開（公告）號: CN111261514A
• 公開（公告）日: 2020-06-09
• 發(fā)明（設計）人: 勝沼隆幸;久松亨;石川慎也;木原嘉英;本田昌伸;戶村幕樹;熊倉翔
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311
• 代理公司: 北京尚誠知識產(chǎn)權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;徐飛躍

本發(fā)明涉及一種基片處理方法，提供將形成于基片的圖案控制為所希望的狀態(tài)的技術。基片處理方法包括：提供具有圖案的處理對象的基片的步驟；在所述基片上形成膜的步驟；利用等離子體在基片的表層形成反應層的步驟；和對基片施加能量來除去反應層的步驟。

技術領域

本發(fā)明涉及一種基片處理方法。

背景技術

專利文獻1公開了一種技術，其使處理氣體與晶片上的自然氧化膜反應而形成了反應層后，通過加熱晶片使反應層升華來除去(蝕刻)自然氧化膜。

現(xiàn)有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2010-165954號公報。

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的技術問題

本發(fā)明提供一種能夠?qū)⑿纬捎诨膱D案控制為所希望的狀態(tài)的技術。

用于解決問題的技術手段

本發(fā)明的一方式的基片處理方包括：提供具有圖案的處理對象的基片的步驟；在所述基片上形成膜的步驟；利用等離子體在基片的表層形成反應層的步驟；和對基片施加能量來除去反應層的步驟。

發(fā)明效果

依照本發(fā)明，能夠?qū)⑿纬捎诨膱D案控制為所希望的狀態(tài)。

附圖說明

圖1是表示實施方式的等離子體處理裝置的概略結構的一例的圖。

圖2是表示實施方式的加熱裝置的概略結構的一例的圖。

圖3是表示形成有氧化膜的晶片的一例的圖。

圖4是說明實施方式的除去氧化膜的基片處理的流程的一例的圖。

圖5是說明實施方式的除去氧化膜的基片處理的流程的另一例的圖。

圖6是說明實施方式的除去氧化膜的基片處理的流程的另一例的圖。

圖7是說明實施方式的CR處理的流程的一例的圖。

圖8是表示實施方式的由CR處理產(chǎn)生的蝕刻量的一例的圖。

圖9是表示實施方式的基片處理的流程的一例的流程圖。

圖10是表示實施方式的由晶片溫度的變化而產(chǎn)生的蝕刻量的變化的一例的圖。

圖11是說明實施方式的線狀的圖案的LWR、LER的改善的圖。

圖12是表示實施方式的圖案的形狀的變化的一例的圖。

圖13是表示實施方式的圖案的形狀的變化的另一例的圖。

圖14是表示實施方式的圖案的形狀的變化的另一例的圖。

圖15是表示實施方式的將膜作為掩模使用的蝕刻的一例的圖。

圖16是表示實施方式的將膜作為保護膜使用的蝕刻的一例的圖。

圖17是表示實施方式的基片處理的流程的另一例的流程圖。

圖18A是表示實施方式的成為阻礙因素的膜的一例的圖。

圖18B是表示實施方式的成為阻礙因素的膜的另一例的圖。

圖19是說明實施方式的由CR處理產(chǎn)生的圖案的形狀的變化的一例的圖。

圖20是說明實施方式的由成膜處理和CR處理產(chǎn)生的圖案的形狀的變化的一例的圖。

圖21是表示實施方式的由成膜處理和CR處理產(chǎn)生的圖案的變化的一例的圖。