[發明專利]基片處理方法在審
| 申請號： | 201910857745.2 | 申請日： | 2019-09-09 |
| 公開（公告）號： | CN111261514A | 公開（公告）日： | 2020-06-09 |
| 發明（設計）人： | 勝沼隆幸;久松亨;石川慎也;木原嘉英;本田昌伸;戶村幕樹;熊倉翔 | 申請（專利權）人： | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/311 | 分類號： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人： | 龍淳;徐飛躍 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 處理 方法 | ||
1.一種基片處理方法，其特征在于，包括：
提供具有圖案的處理對象的基片的步驟；
在所述基片上形成膜的步驟；
利用等離子體在所述基片的表層形成反應層的步驟；和
對所述基片施加能量來除去所述反應層的步驟。
2.如權利要求1所述的基片處理方法，其特征在于：
在所述形成膜的步驟中，在所述基片上形成含硅膜。
3.如權利要求1或2所述的基片處理方法，其特征在于：
在所述形成膜的步驟中，在所述基片的第一區域有選擇地形成含硅膜，
在除去所述反應層的所述步驟中，通過除去所述反應層來除去形成于所述基片的第一區域以外的第二區域中的含硅膜。
4.如權利要求1～3中任一項所述的基片處理方法，其特征在于：
所述基片在設置于硅層上的SiO2膜形成有到達該硅層的圖案，SiO2膜的上表面和圖案的側面由SiN膜覆蓋，在圖案的底部的硅層形成有自然氧化膜，
在所述形成膜的步驟中，至少在圖案的側面形成SiO2膜，
在所述形成反應層的步驟中，供給NF3氣體和NH3氣體并生成等離子體，以使SiO2膜和自然氧化膜反應來生成(NH4)2SiF6作為反應層，
在除去所述反應層的所述步驟中，通過除去所述反應層來除去所述自然氧化膜。
5.如權利要求1～4中任一項所述的基片處理方法，其特征在于：
在所述形成反應層的步驟中，使所述基片的溫度為100℃以下來形成所述反應層，
在除去所述反應層的所述步驟中，使所述基片的溫度為100℃以上來使所述反應層升華。
6.如權利要求1～3中任一項所述的基片處理方法，其特征在于：
在所述形成膜的步驟中，形成與在所述基片上形成的含硅膜同種類的含硅膜。
7.如權利要求1～3中任一項所述的基片處理方法，其特征在于：
在所述形成膜的步驟中，形成與在所述基片上形成的含硅膜不同種類的含硅膜。
8.如權利要求1～7中任一項所述的基片處理方法，其特征在于：
還包括進行蝕刻的步驟。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
