[發明專利]用于確定邊緣環特性的系統和方法

有效

• 申請號: 201910856579.4
• 申請日: 2017-01-17
• 公開（公告）號: CN110767525B
• 公開（公告）日: 2022-08-02
• 發明（設計）人: 馬庫斯·穆瑟爾曼;安德魯·D·貝利三世;喬恩·麥克切斯尼
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 樊英如;張靜

本發明涉及用于執行邊緣環表征的系統和方法。襯底處理系統中的襯底支撐件包括：內部部分，圍繞所述內部部分的邊緣環，以及控制器。所述控制器配置為：選擇性地升高邊緣環，接收指示布置在內部部分上的測試襯底的定位的測量信號，基于指示測試襯底的定位的測量信號確定所述邊緣環何時接合測試襯底，并且基于對所述邊緣環何時接合測試襯底的所述確定來計算所述邊緣環的至少一個特征。

本申請是申請號為201710036188.9、申請日為2017年1月17日、發明名稱為“用于執行邊緣環表征的系統和方法”的申請的分案申請。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2016年3月29日提交的美國臨時申請No.62/314,659的權益。上述申請的全部公開內容通過引用并入本文。

技術領域

本公開涉及用于測量襯底處理系統中的邊緣環的系統和方法。

背景技術

這里提供的背景描述是為了一般地呈現本公開的背景的目的。在該背景技術部分以及在提交時不會以其他方式認為是現有技術的描述的方面中描述的程度上，目前署名的發明人的工作既不明確地也不隱含地被承認為針對本公開的現有技術。

襯底處理系統可用于蝕刻襯底(例如半導體晶片)上的膜。襯底處理系統通常包括處理室、氣體分配裝置和襯底支撐件。在處理期間，襯底被布置在襯底支撐件上。可以將不同的氣體混合物引入到處理室中，并且射頻(RF)等離子體可以用于激活化學反應。

襯底支撐件可以包括圍繞襯底支撐件的外部部分(例如，在周邊的外部和/或與周邊相鄰)布置的邊緣環。可以提供邊緣環以將等離子體限制到襯底上方的體積，保護襯底支撐件免受等離子體等引起的侵蝕。

發明內容

在襯底處理系統中的襯底支撐件包括：布置成支撐襯底的內部部分、圍繞所述內部部分的邊緣環、以及控制器。所述控制器執行以下操作中的至少一個：升高所述邊緣環以選擇性地使所述邊緣環接合所述襯底，以及降低所述內部部分以選擇性地使所述邊緣環接合所述襯底。所述控制器確定所述邊緣環何時接合所述襯底，并且基于對所述邊緣環何時接合所述襯底的所述確定來計算所述襯底處理系統的至少一個特性。

一種確定襯底處理系統的特性的方法包括將測試襯底布置在襯底支撐件的內部部分上。所述測試襯底包括從所述測試襯底的邊緣向外延伸的接觸指。所述方法還包括：升高圍繞所述內部部分的邊緣環以使所述邊緣環的內徑接合所述接觸指和降低所述內部部分以使所述邊緣環的所述內徑接合所述接觸指中的至少一項，確定所述邊緣環的所述內徑何時接合所述接觸指，以及基于對所述邊緣環的所述內徑何時接合所述接觸指的所述確定來確定所述襯底處理系統的至少一個特性。

從詳細描述、權利要求和附圖，本公開的其他適用領域將變得顯而易見。詳細描述和具體示例僅意圖用于說明的目的，并且不旨在限制本公開的范圍。

附圖說明

從詳細描述和附圖將更充分地理解本公開，其中：

圖1是根據本公開的示例性處理室的功能框圖；

圖2A示出了根據本公開的處于降低位置的示例性邊緣環；

圖2B示出了根據本公開的處于升高位置的示例性邊緣環；

圖2C示出了根據本公開的處于傾斜位置的示例性邊緣環；

圖3A示出了根據本公開的處于升高位置的示例性襯底支撐件；

圖3B示出了根據本公開的布置在處于降低位置的襯底支撐件上的示例性測試晶片；

圖3C示出了根據本公開的布置在處于降低位置的襯底支撐件上的另一示例性測試晶片；

圖4A和4B是根據本公開的示例性測試晶片的平面圖；