[發明專利]超薄高導熱石墨膜的制備方法

在審

• 申請號: 201910856006.1
• 申請日: 2019-09-11
• 公開（公告）號: CN110562971A
• 公開（公告）日: 2019-12-13
• 發明（設計）人: 楊文斌;吳永飛;陳夫忠;陳浩;王亞東
• 申請（專利權）人: 世星科技股份有限公司
• 主分類號: C01B32/205
• 分類號: C01B32/205
• 代理公司: 32367 蘇州通途佳捷專利代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 李陽

本發明公開了一種超薄高導熱石墨膜的制備方法，涉及一種石墨膜制造領域，超薄高導熱石墨膜的制備方法，包括如下步驟：步驟一：將雙胺化合物與雙酐化合物進行化學反應得到聚酰胺酸；步驟二：將得到的聚酰胺酸放在碳化爐中先后進行亞胺化和真空碳化制程處理得到PI膜碳化產物，將PI膜碳化產物進行收卷；步驟三：將收卷后的PI膜碳化產物移動到石墨化爐內放卷進行熱處理石墨化發泡得到PI膜石墨化產物，然后將PI膜石墨化產物進行收卷；步驟四：將收卷后的PI膜石墨化產物移動到壓延機處放卷經過高壓壓輥表面進行壓延得到超薄高導熱石墨膜，然后將得到的超薄高導熱石墨膜進行收卷，本發明中的亞胺化?碳化一體化生產，可以實現薄膜卷材連續式生產。

技術領域

本發明涉及一種石墨膜制造領域，特別涉及一種超薄高導熱石墨膜的制備方法。

背景技術

導熱石墨膜又被大家稱為導熱石墨片，散熱石墨膜，石墨散熱膜等等，導熱石墨膜是一種新型的導熱散熱材料，其導熱散熱的效果是非常明顯的，現有社會中的石墨膜的制備方法是將雙胺化合物與雙酐化合物進行化合反應得到聚酰胺酸，然后通過亞胺化爐進行亞胺化制備得到PI膜，將PI膜進行收卷移動到碳化爐中進行碳化，然后移動到石墨爐中進行石墨化，然后再進行壓延，在生產過薄的PI膜時亞胺化后的PI膜不易收卷并且過薄的PI膜在碳化的過程中易斷。

發明內容

本發明解決的技術問題是提供一種便于生產超薄高導熱石墨膜、防止生產超薄的PI膜在碳化過程中斷裂、將亞胺化爐與碳化爐合并為一個碳化爐，減少一次PI膜的放卷過程同時減少亞胺化和碳化時間的超薄高導熱石墨膜的制備方法。

本發明解決其技術問題所采用的技術方案是：超薄高導熱石墨膜的制備方法，包括如下步驟：

步驟一：將雙胺化合物與雙酐化合物進行化學反應得到聚酰胺酸；

步驟二：將得到的聚酰胺酸放在碳化爐中先后進行亞胺化和真空碳化制程處理得到PI膜碳化產物，將PI膜碳化產物進行收卷；

步驟三：將收卷后的PI膜碳化產物移動到石墨化爐內放卷進行熱處理石墨化發泡得到 PI膜石墨化產物，將PI膜石墨化產物進行收卷；

步驟四：將收卷后的PI膜石墨化產物移動到壓延機處放卷經過高壓壓輥表面進行壓延得到超薄高導熱石墨膜，然后將得到的超薄高導熱石墨膜進行收卷。

進一步的是：所述步驟二中的碳化爐中設置有兩個溫度區，分別為亞胺化溫度區和碳化制程處理溫度區，將亞胺化工序和碳化制程處理工序設置在一個碳化爐中可以避免了將亞胺化好的PI膜收卷后移動到碳化爐內進行放卷再進行碳化，節省了工序，同時也減短了亞胺化和碳化的時間，同時也減少了熱量損耗，節省了能源，亞胺化-碳化一體化生產，可以實現薄膜卷材連續式生產，同時生產超薄石墨膜時不易斷。

進一步的是：所述亞胺化溫度區內的溫度是25～400℃，亞胺化的時間為1-3min。

進一步的是：所述碳化制程處理溫度區內的溫度是25～1300℃，碳化的時間為3-5min，所述碳化制程處理是在真空環境下進行，使得能夠得到高純碳的PI膜碳化產物。

進一步的是：所述步驟三中的石墨化爐內的溫度為0-2800℃，石墨化的時間為8-15h。

本發明的有益效果是：本發明中的亞胺化工序與碳化工序設置在一個碳化爐內，亞胺化- 碳化一體化生產，可以實現薄膜卷材連續式生產，避免了將亞胺化好的PI膜收卷后移動到碳化爐內進行放卷再進行碳化，節省了工序，同時也減短了亞胺化和碳化的時間，同時也減少了熱量損耗，節省了能源，同時生產超薄石墨膜時不易斷，本發明中的碳化制程處理是在真空環境下進行，使得能夠得到高純碳的PI膜碳化產物。

具體實施方式

下面結合具體實施方式對本發明進一步說明。

超薄高導熱石墨膜的制備方法，包括如下步驟：