[發(fā)明專利]超薄高導(dǎo)熱石墨膜的制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910856006.1 | 申請(qǐng)日： | 2019-09-11 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN110562971A | 公開(kāi)（公告）日： | 2019-12-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 楊文斌;吳永飛;陳夫忠;陳浩;王亞?wèn)| | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 世星科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C01B32/205 | 分類號(hào)： | C01B32/205 |
| 代理公司： | 32367 蘇州通途佳捷專利代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人： | 李陽(yáng) |
| 地址： | 214000 江蘇省無(wú)*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 石墨膜 收卷 高導(dǎo)熱 石墨化產(chǎn)物 碳化產(chǎn)物 聚酰胺酸 亞胺化 放卷 制備 化學(xué)反應(yīng) 壓延 連續(xù)式生產(chǎn) 一體化生產(chǎn) 熱處理 薄膜卷材 石墨化爐 壓輥表面 真空碳化 石墨化 碳化爐 壓延機(jī) 移動(dòng) 發(fā)泡 雙胺 雙酐 碳化 制程 制造 | ||
1.超薄高導(dǎo)熱石墨膜的制備方法，其特征在于：包括如下步驟：
步驟一：將雙胺化合物與雙酐化合物進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)得到聚酰胺酸；
步驟二：將得到的聚酰胺酸放在碳化爐中先后進(jìn)行亞胺化和真空碳化制程處理得到PI膜碳化產(chǎn)物，將PI膜碳化產(chǎn)物進(jìn)行收卷；
步驟三：將收卷后的PI膜碳化產(chǎn)物移動(dòng)到石墨化爐內(nèi)放卷進(jìn)行熱處理石墨化發(fā)泡得到PI膜石墨化產(chǎn)物，將PI膜石墨化產(chǎn)物進(jìn)行收卷；
步驟四：將收卷后的PI膜石墨化產(chǎn)物移動(dòng)到壓延機(jī)處放卷經(jīng)過(guò)高壓壓輥表面進(jìn)行壓延得到超薄高導(dǎo)熱石墨膜，然后將得到的超薄高導(dǎo)熱石墨膜進(jìn)行收卷。
2.如權(quán)利要求1所述的超薄高導(dǎo)熱石墨膜的制備方法，其特征在于：所述步驟二中的碳化爐中設(shè)置有兩個(gè)溫度區(qū)，分別為亞胺化溫度區(qū)和碳化制程處理溫度區(qū)。
3.如權(quán)利要求2所述的超薄高導(dǎo)熱石墨膜的制備方法，其特征在于：所述亞胺化溫度區(qū)內(nèi)的溫度是25～400℃，亞胺化的時(shí)間為1-3min。
4.如權(quán)利要求2所述的超薄高導(dǎo)熱石墨膜的制備方法，其特征在于：所述碳化制程處理溫度區(qū)內(nèi)的溫度是25～1300℃，碳化的時(shí)間為3-5min，所述碳化制程處理是在真空環(huán)境下進(jìn)行的。
5.如權(quán)利要求1所述的超薄高導(dǎo)熱石墨膜的制備方法，其特征在于：所述步驟三中的石墨化爐內(nèi)的溫度為0-2800℃，石墨化的時(shí)間為8-15h。
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