[發明專利]半導體存儲裝置在審
| 申請號： | 201910854455.2 | 申請日： | 2019-09-10 |
| 公開（公告）號： | CN111129018A | 公開（公告）日： | 2020-05-08 |
| 發明（設計）人： | 荒井史隆;細谷啟司;百百信幸 | 申請（專利權）人： | 東芝存儲器株式會社 |
| 主分類號： | H01L27/11517 | 分類號： | H01L27/11517;H01L27/11521;H01L27/11551;G11C11/402 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人： | 楊林勳 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 存儲 裝置 | ||
1.一種半導體存儲裝置，具備：
第1配線；
第2配線，在第1方向上設置在所述第1配線的上方；
第3配線，在所述第1方向上設置在所述第1配線與所述第2配線之間的位置；
第4配線，在所述第1方向上設置在所述第2配線與所述第3配線之間的位置；
第5配線，在所述第1方向上設置在所述第2配線與所述第4配線之間的位置；
半導體層，在所述第1方向延伸，且在所述第1方向上，一端位于所述第4配線與所述第5配線之間，另一端連接于所述第1配線；
存儲單元，在所述半導體層與所述第4配線之間存儲信息；
導電層，在所述第1方向延伸，且在所述第1方向上，一端連接于所述第2配線，另一端連接于所述半導體層；
第1絕緣層，在所述第1方向延伸，且以延伸存在于所述第3配線與所述半導體層之間、所述第4配線與所述半導體層之間、及所述第5配線與所述導電層之間的方式設置；
氧化物半導體層，在所述第1方向延伸，且以延伸存在于所述第4配線與所述第1絕緣層之間、及所述第5配線與所述第1絕緣層之間的方式設置；以及
第2絕緣層，在所述第1方向延伸，且以延伸存在于所述第4配線與所述氧化物半導體層之間、及所述第5配線與所述氧化物半導體層之間的方式設置。
2.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其中所述第1配線及第2配線在與所述第1方向交叉的第2方向延伸，所述第3、第4、及第5配線在與所述第1及所述第2方向交叉的第3方向延伸。
3.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其中所述導電層具有：
第1部分，與所述半導體層的上表面連接，且在所述第1方向延伸；以及
第2部分，連接于所述第1部分的上表面及所述氧化物半導體層。
4.根據權利要求3所述的半導體存儲裝置，其中所述導電層還具有第3部分，所述第3部分連接于所述第2部分的上表面，在所述第1方向延伸且連接于所述第2配線。
5.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其中所述第1絕緣層與所述導電層中連接于所述氧化物半導體層的部分的下表面接觸。
6.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其中所述氧化物半導體層的一端在所述第1方向上位于所述第3配線與所述第4配線之間。
7.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其還具備：
第1晶體管，包含所述第3配線及所述半導體層；以及
第2晶體管，包含所述第5配線及所述氧化物半導體層。
8.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其中所述第1配線為位線，所述第2配線為源極線。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
