[發(fā)明專利]一種超衍射極限焦斑陣列生成裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910853722.4 | 申請日: | 2019-09-10 |
| 公開(公告)號: | CN110568731B | 公開(公告)日: | 2020-10-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 郝翔;劉鑫;匡翠方;劉旭;李海峰 | 申請(專利權(quán))人: | 浙江大學(xué);之江實驗室 |
| 主分類號: | G03F7/20 | 分類號: | G03F7/20;G02B21/00 |
| 代理公司: | 杭州求是專利事務(wù)所有限公司 33200 | 代理人: | 劉靜 |
| 地址: | 310058 浙江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 衍射 極限 陣列 生成 裝置 | ||
本發(fā)明公開了一種超衍射極限焦斑陣列生成裝置。該裝置使激發(fā)光束或交聯(lián)光束經(jīng)過相位調(diào)制,從而在樣品面產(chǎn)生實心焦斑陣列;使淬滅光束或去交聯(lián)光束經(jīng)過相位調(diào)制,從而在樣品面產(chǎn)生空心焦斑陣列,并使這兩個焦斑陣列對準(zhǔn),最終在樣品面上產(chǎn)生超衍射極限的焦斑陣列。上述過程由于是通過相位調(diào)制的方式產(chǎn)生焦斑陣列,所以生成的焦斑數(shù)量可以為任意多個,從而實現(xiàn)高通量的超分辨成像與激光直寫,與已有的方法相比,本發(fā)明所公開的系統(tǒng)可以進(jìn)行高速并行超分辨成像與激光直寫。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及光學(xué)工程領(lǐng)域,具體是涉及一種超衍射極限焦斑陣列生成裝置。
背景技術(shù)
對于光學(xué)曝光或者說光刻技術(shù)而言,其可以實現(xiàn)極高精度的納米刻蝕,借助極紫外光源最高可實現(xiàn)5nm的加工精度,光刻技術(shù)較高的產(chǎn)率也使其可以滿足工業(yè)化生產(chǎn)的要求,并已經(jīng)廣泛應(yīng)用到半導(dǎo)體器件和集成電路產(chǎn)業(yè)之中。但是,目前的光刻技術(shù)必須依賴光學(xué)掩模板和真空的制造環(huán)境,且完整的納米制造光刻機(jī)的成本與復(fù)雜程度極高。電子束曝光技術(shù),借助波長極短的電子波,可以在無需掩模板的情況下實現(xiàn)納米量級的加工精度,在光學(xué)掩模板和納米器件的制備等方面發(fā)揮了不可替代的作用。但是,電子束曝光裝置價格昂貴且加工速度慢,無法實現(xiàn)大面積制備和工業(yè)應(yīng)用。同時,電子束同樣必須在真空中加工,對于生物樣品等很多樣品就無法應(yīng)用。對于激光直寫特別是飛秒激光直寫技術(shù)而言,它相對于傳統(tǒng)的光刻技術(shù)有一些顯著的優(yōu)點(diǎn)。首先,由于飛秒激光直寫多采用近紅外波段的波長,激光束可以低損耗的聚焦到材料內(nèi)部進(jìn)行掃描直寫,故而具有本征的真三維加工制造能力,且適用于多種材料的加工制造。而且,作為激光直寫技術(shù),其不需要掩模板和真空加工環(huán)境,因此具有良好的工業(yè)化應(yīng)用前景。但是,由于激光直寫技術(shù)通過聚焦光斑對樣品材料進(jìn)行作用,聚焦斑受到光學(xué)衍射極限限制,其最小尺度約為光波長的一半,因而加工精度受限。而且,單光束激光直寫系統(tǒng)加工速度較慢,達(dá)不到實際生產(chǎn)和應(yīng)用的要求。
受激輻射淬滅(STED)顯微技術(shù)主要是通過使用一個空心的淬滅焦斑覆蓋在衍射受限的激發(fā)焦斑上,使得焦斑外圈被激發(fā)的熒光分子在還沒有發(fā)出熒光時以受激輻射的方式瞬間回到基態(tài),而焦斑中心被激發(fā)的熒光分子正常發(fā)出的熒光被作為有效信號接收,從而獲得遠(yuǎn)超衍射極限的分辨率。但是受激輻射淬滅顯微技術(shù)是以對樣品的單點(diǎn)掃描的方式成像,因此其成像的時間分辨率很低,這對大視場范圍的成像產(chǎn)生了很大的限制,同時其淬滅光的光強(qiáng)較高,易造成樣品的光漂白。
對于激光直寫系統(tǒng),直接決定其加工精度的就是聚焦光斑的尺寸,尺寸越小,加工精度越高。直接決定其加工速度的就是光束的數(shù)量,目前雖有較高精度的雙光束激光直寫,但是其加工速度仍然較慢。同時,對于超分辨顯微成像,焦斑數(shù)量也直接決定了其成像速度。
發(fā)明內(nèi)容
針對上述問題,本發(fā)明提供了一種超衍射極限焦斑陣列生成裝置,通過使用受激輻射光淬滅技術(shù),同時在生成焦斑陣列的情況下,保證焦斑陣列單個焦斑的尺寸小于衍射極限。
本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的:一種超衍射極限焦斑陣列生成裝置,包括:
第一光源模塊、第一反射鏡、第一光調(diào)制模塊、第一透鏡、第二透鏡、第二反射鏡、第二光源模塊、第三反射鏡、第二光調(diào)制模塊、第三透鏡、第四透鏡、第一二色鏡、第一振鏡、第二振鏡、掃描透鏡、第五透鏡和第二二色鏡;
第一光源模塊發(fā)出準(zhǔn)直左旋圓偏振光,經(jīng)第一反射鏡入射到第一光調(diào)制模塊,經(jīng)其相位調(diào)制后,再經(jīng)第一透鏡、第二透鏡、第二反射鏡入射到第一二色鏡表面,經(jīng)第一二色鏡表面反射,再經(jīng)第一振鏡、第二振鏡、掃描透鏡、第五透鏡聚焦至樣品,此光束為第一光束,此光束在樣品上形成空心焦斑陣列;
第二光源模塊發(fā)出準(zhǔn)直光,經(jīng)第三反射鏡入射到第二光調(diào)制模塊,經(jīng)其相位調(diào)制后,再經(jīng)第三透鏡、第四透鏡、再經(jīng)第二二色鏡透射,到達(dá)第一二色鏡,經(jīng)第一二色鏡透射,再經(jīng)第一振鏡、第二振鏡、掃描透鏡、第五透鏡聚焦至樣品,此光束為第二光束,此光束在樣品上形成實心焦斑陣列;
第一光束的空心焦斑陣列與第二光束的實心焦斑陣列在樣品上重合,從而生成超衍射極限焦斑陣列。
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