[發(fā)明專利]方硅錠及其制備方法、硅片及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910851986.6
• 申請(qǐng)日: 2019-09-10
• 公開（公告）號(hào): CN112549331A
• 公開（公告）日: 2021-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 姚錚;白超;毛亮亮;吳堅(jiān);蔣方丹
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州阿特斯陽(yáng)光電力科技有限公司;阿特斯陽(yáng)光電力集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): B28D5/00
• 分類號(hào): B28D5/00
• 代理公司: 蘇州威世朋知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32235
• 代理人: 韓曉園

1.一種方硅錠的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

開槽，于若干開槽區(qū)形成沿長(zhǎng)度方向貫穿晶硅錠的預(yù)制槽；

切方，于平行設(shè)置的若干第一切割線處沿長(zhǎng)度方向切割晶硅錠，于平行設(shè)置的若干第二切割線處沿長(zhǎng)度方向切割所述晶硅錠，所述第一切割線與所述第二切割線相垂直；

其中，若干第一切割線包括相鄰的第一條第一切割線與第二條第一切割線，若干開槽區(qū)包括位于所述第一條第一切割線與所述第二條第一切割線之間的若干第一開槽區(qū)，若干第一開槽區(qū)沿所述第一條第一切割線間隔設(shè)置，且所述第一開槽區(qū)的部分邊緣與所述第一條第一切割線重合。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方硅錠的制備方法，其特征在于：先開槽形成所述預(yù)制槽，再切方。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方硅錠的制備方法，其特征在于：所述開槽的步驟與所述切方的步驟同步進(jìn)行。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方硅錠的制備方法，其特征在于：先沿第一切割線和第二切割線中的任意一個(gè)切割線開始切割，再沿另一個(gè)切割線開始切割，再開槽。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4任意一項(xiàng)所述的方硅錠的制備方法，其特征在于：其特征在于：開槽步驟中，采用沖銑、水刀工藝形成所述預(yù)制槽。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方硅錠的制備方法，其特征在于：水刀形成預(yù)制槽的具體過程為，采用金剛砂30目～50目、壓力100MPa～200MPa的水刀形成預(yù)制槽。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方硅錠的制備方法，其特征在于：沖銑形成預(yù)制槽的具體過程為，采用直徑為2mm±0.2mm、材質(zhì)為合成鋼或鎢鋼或金剛石的刀頭，以10000r/min±20r/min的刀頭轉(zhuǎn)速形成預(yù)制槽。

8.根據(jù)權(quán)利要求1～4任意一項(xiàng)所述的方硅錠的制備方法，其特征在于，還包括如下步驟：

形成晶硅錠，位于所述開槽和所述切方的步驟之前；

硅錠檢測(cè)，位于所述開槽和所述切方的步驟之后；

切割，位于所述硅錠檢測(cè)的步驟后，切除硅錠中不合格的部分；

磨面，位于所述切割的步驟后。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方硅錠的制備方法，其特征在于：若干開槽區(qū)還包括位于所述第一條第一切割線與所述第二條第一切割線之間的若干第二開槽區(qū)，若干第二開槽區(qū)沿所述第二條第一切割線間隔設(shè)置，且所述第二開槽區(qū)的部分邊緣與所述第二條第一切割線重合。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方硅錠的制備方法，其特征在于：所述開槽區(qū)的形狀為方形、矩形、梯形、或半圓形中的至少一種。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方硅錠的制備方法，其特征在于：所述開槽區(qū)的面積為2mm²～6mm²。

12.一種方硅錠，其特征在于，由權(quán)利要求1～11中任意一項(xiàng)所述的方硅錠的制備方法制備所得。

13.一種硅片的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

制備方硅錠，采用權(quán)利要求1～11任意一項(xiàng)所述的方硅錠的制備方法制備方硅錠；

切片，于所述預(yù)制槽處沿與所述方硅錠的長(zhǎng)度延伸方向相垂直的切割面進(jìn)行切片。

14.一種硅片，其特征在于，由權(quán)利要求13所述的硅片的制備方法制備所得。