[發(fā)明專利]方硅錠及其制備方法、硅片及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910851986.6
• 申請日: 2019-09-10
• 公開（公告）號: CN112549331A
• 公開（公告）日: 2021-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 姚錚;白超;毛亮亮;吳堅;蔣方丹
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司;阿特斯陽光電力集團股份有限公司
• 主分類號: B28D5/00
• 分類號: B28D5/00
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32235
• 代理人: 韓曉園

本申請?zhí)峁┝艘环N方硅錠及其制備方法、硅片及其制備方法，方硅錠的制備方法，包括：開槽，于若干開槽區(qū)形成沿長度方向貫穿晶硅錠的預(yù)制槽；切方，于平行設(shè)置的若干第一切割線處沿長度方向切割晶硅錠，于平行設(shè)置的若干第二切割線處沿長度方向切割所述晶硅錠，所述第一切割線與所述第二切割線相垂直；其中，若干第一切割線包括相鄰的第一條第一切割線與第二條第一切割線，若干開槽區(qū)包括位于所述第一條第一切割線與所述第二條第一切割線之間的若干第一開槽區(qū)，若干第一開槽區(qū)沿所述第一條第一切割線間隔設(shè)置，且所述第一開槽區(qū)的部分邊緣與所述第一條第一切割線重合。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及光伏領(lǐng)域，尤其涉及一種方硅錠及其制備方法、硅片及其制備方法。

背景技術(shù)

光伏組件中電池片密排、縮小片間距，能夠增加組件單位面積發(fā)電功率；現(xiàn)行階段方式為拼接或是疊瓦。

疊瓦技術(shù)，電池片的正負(fù)極交疊并直接通過導(dǎo)電膠連接，現(xiàn)行的交疊面積約占整個電池面積的5％，意味著單片電池的功率損失即為5％。

拼接技術(shù)，相較常規(guī)的焊帶連接正負(fù)極技術(shù)，在片間距處用更易彎折的拼接焊帶進行連接。該技術(shù)雖無交疊面積的損失，但拼接焊帶成本遠(yuǎn)高于常規(guī)焊帶，同時不同焊帶之間的焊接過程使得組件串焊工序更為繁瑣，嚴(yán)重影響了組件的可量產(chǎn)性。

有鑒于此，有必要提供一種方硅錠及其制備方法、硅片及其制備方法，以制備能夠制備解決上述技術(shù)問題的太陽能電池片。

發(fā)明內(nèi)容

本申請的目的在于，提供一種方硅錠及其制備方法、硅片及其制備方法，從硅片端解決問題，以制備能夠縮小片間距、采用常規(guī)焊帶以降低光伏組件焊帶成本的電池片。

為實現(xiàn)上述申請目的，本申請采用如下技術(shù)方案：

一種方硅錠的制備方法，包括如下步驟：

開槽，于若干開槽區(qū)形成沿長度方向貫穿晶硅錠的預(yù)制槽；

切方，于平行設(shè)置的若干第一切割線處沿長度方向切割晶硅錠，于平行設(shè)置的若干第二切割線處沿長度方向切割所述晶硅錠，所述第一切割線與所述第二切割線相垂直；

其中，若干第一切割線包括相鄰的第一條第一切割線與第二條第一切割線，若干開槽區(qū)包括位于所述第一條第一切割線與所述第二條第一切割線之間的若干第一開槽區(qū)，若干第一開槽區(qū)沿所述第一條第一切割線間隔設(shè)置，且所述第一開槽區(qū)的部分邊緣與所述第一條第一切割線重合。

一種方硅錠，由上述方硅錠的制備方法制備所得。

一種硅片的制備方法，包括如下步驟：

制備方硅錠，由上述方硅錠的制備方法制備方硅錠；

切片，于所述預(yù)制槽處沿所述方硅錠的徑向進行切片。

一種硅片，由上述硅片的制備方法制備所得。

本申請的有益效果是：本發(fā)明通過對晶硅錠進行開槽和切方，獲得側(cè)表面具有預(yù)制槽的方硅錠；一方面，于晶硅錠上開槽過程中去除的硅料，可以再次用于鑄錠或拉晶，減少晶硅料的用量，同時降低了晶硅料消耗，降低硅片成本；另一方面，相較于對硅片直接開槽，對整個晶硅錠開槽，工藝易于控制，且能減少硅片的碎片率；再者，由上述方硅錠制備的硅片具有導(dǎo)槽，基于該硅片制備的電池片，其主柵至少一端具有引導(dǎo)槽；可采用普通焊帶將若干所述電池片串聯(lián)成電池串，且至少部分所述焊帶位于所述引導(dǎo)槽內(nèi)，從而能夠減小相鄰的電池片之間的距離，在同組件版型下，能夠布設(shè)更多的電池片，提高光伏組件的效率；同時減小了所述焊帶的彎曲度，進而減少碎片幾率。

附圖說明

圖1是本申請一較佳實施例的晶硅錠的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是圖1的俯視圖；

圖3是由圖1的晶硅錠經(jīng)過開槽和切方后形成的方硅錠的結(jié)構(gòu)示意圖；