[發(fā)明專利]半導體器件及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910851493.2 | 申請日： | 2019-09-04 |
| 公開（公告）號： | CN110970382A | 公開（公告）日： | 2020-04-07 |
| 發(fā)明（設計）人： | 裵鎮(zhèn)國;鄭顯秀;李仁榮;張東鉉 | 申請（專利權）人： | 三星電子株式會社 |
| 主分類號： | H01L23/488 | 分類號： | H01L23/488;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京市立方律師事務所 11330 | 代理人： | 李娜;王占杰 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導體器件，所述半導體器件包括：
半導體襯底；
導電焊盤，所述導電焊盤設置在所述半導體襯底上；
柱狀圖案，所述柱狀圖案設置在所述導電焊盤上；
焊料種子圖案，所述焊料種子圖案設置在所述柱狀圖案上；以及
焊料部分，所述焊料部分設置在所述柱狀圖案和所述焊料種子圖案上，
其中，所述焊料種子圖案的第一寬度小于所述柱狀圖案的頂表面的第二寬度。
2.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其中，所述焊料部分覆蓋所述焊料種子圖案的側壁。
3.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其中，所述焊料部分與所述柱狀圖案的邊緣區(qū)域的頂表面物理接觸。
4.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其中，所述焊料部分的最大寬度大于所述焊料種子圖案的所述第一寬度。
5.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其中，所述柱狀圖案包括：
柱狀種子圖案，所述柱狀種子圖案設置在所述導電焊盤上；以及
導電圖案，所述導電圖案設置在所述柱狀種子圖案上。
6.根據(jù)權利要求5所述的半導體器件，其中，所述柱狀種子圖案延伸到所述導電圖案的側壁上。
7.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，所述半導體器件還包括：聚合物層，所述聚合物層設置在所述半導體襯底上，
其中，所述柱狀圖案的至少一部分被所述聚合物層包圍。
8.根據(jù)權利要求7所述的半導體器件，其中，所述聚合物層包括環(huán)氧模制化合物。
9.根據(jù)權利要求7所述的半導體器件，其中，所述聚合物層的頂表面設置在比所述柱狀圖案的頂表面的水平高度低的水平高度處。
10.一種半導體器件，所述半導體器件包括：
半導體襯底；
導電焊盤，所述導電焊盤設置在所述半導體襯底上；
柱狀圖案，所述柱狀圖案設置在所述導電焊盤上；
焊料種子圖案，所述焊料種子圖案設置在所述柱狀圖案上；以及
焊料部分，所述焊料部分覆蓋所述焊料種子圖案的第一側壁和所述柱狀圖案的邊緣區(qū)域的頂表面。
11.根據(jù)權利要求10所述的半導體器件，其中，所述焊料種子圖案的第一寬度小于所述柱狀圖案的頂表面的第二寬度。
12.根據(jù)權利要求10所述的半導體器件，其中，所述焊料部分覆蓋所述焊料種子圖案的頂表面。
13.根據(jù)權利要求10所述的半導體器件，所述半導體器件還包括：保護層，所述保護層設置在所述半導體襯底上，其中，所述保護層具有暴露所述導電焊盤的焊盤開口。
14.根據(jù)權利要求13所述的半導體器件，其中，所述保護層包括多層，所述多層包括多個層，其中，所述多個層中的每個層包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和/或原硅酸四乙酯。
15.根據(jù)權利要求13所述的半導體器件，所述半導體器件還包括：聚合物層，所述聚合物層設置在所述保護層上并包括暴露所述導電焊盤的開口，
其中，所述柱狀圖案的至少一部分被所述聚合物層包圍。
16.根據(jù)權利要求10所述的半導體器件，其中，所述柱狀圖案包括：
導電圖案；以及
柱狀種子圖案，所述柱狀種子圖案設置在所述導電圖案的底表面和第二側壁上。
17.根據(jù)權利要求10所述的半導體器件，其中，所述柱狀圖案的上部的第三寬度大于所述柱狀圖案的下部的第四寬度。
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