[發明專利]半導體器件的扇出型晶圓級封裝

在審

• 申請號: 201910849864.3
• 申請日: 2019-09-10
• 公開（公告）號: CN110970380A
• 公開（公告）日: 2020-04-07
• 發明（設計）人: 張基松;林育聖;G·M·格里弗納;野間崇
• 申請（專利權）人: 半導體元件工業有限責任公司
• 主分類號: H01L23/485
• 分類號: H01L23/485;H01L23/498;H01L21/60
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 秦晨

本發明題為“半導體器件的扇出型晶圓級封裝”。在一般方面，本發明提供了一種扇出型晶圓級封裝(FOWLP)，該FOWLP可以包括：半導體管芯，該半導體管芯具有：有源表面；背側表面；多個側表面，該多個側表面中的每個側表面在有源表面與背側表面之間延伸；多個導電凸塊，該多個導電凸塊設置在有源表面上；以及絕緣層，該絕緣層設置在有源表面在導電凸塊之間的第一部分上。FOWLP還可以包括模塑料，該模塑料包封背側表面、多個側表面、以及有源表面的在導電凸塊與有源表面的周邊邊緣之間的第二部分。FOWLP還可以包括信號分配結構，該信號分配結構設置在導電凸塊、絕緣層以及模塑料上。信號分配結構可以被配置為提供到多個導電凸塊的相應電連接件。

技術領域

該描述涉及封裝半導體器件和/或半導體器件模塊(封裝器件)。更具體地，該描述涉及封裝在扇出型晶圓級封裝中的半導體器件。

背景技術

半導體器件(例如，半導體管芯)可以以多個不同的封裝配置實現。例如，半導體管芯諸如功率晶體管、功率二極管等可以包括在晶圓級封裝諸如扇出型晶圓級封裝(FOWLP)中。然而，用于產生此類FOWLP封裝的當前方法可能成本過高，并且/或者可能易受可靠性問題(諸如包括在FOWLP中的半導體管芯的破裂)影響。

發明內容

在一般方面，扇出型晶圓級封裝(FOWLP)半導體器件可以包括：半導體管芯，該半導體管芯具有：有源表面；背側表面，該背側表面與有源表面相背對(opposite)；多個側表面，該多個側表面中的每個側表面在有源表面與背側表面之間延伸；多個導電凸塊，該多個導電凸塊設置在有源表面上；以及絕緣層，該絕緣層設置在有源表面的第一部分上。有源表面的第一部分可以設置在多個導電凸塊之間。FOWLP還可以包括模塑料，該模塑料包封背側表面、多個側面以及有源表面的第二部分。有源表面的第二部分可以設置在導電凸塊與有源表面的周邊邊緣之間。FOWLP還可以包括信號分配結構，該信號分配結構設置在導電凸塊上、設置在絕緣層上并設置在模塑料上。信號分配結構可以被配置為提供到多個導電凸塊的相應電連接件。

在另一個一般方面，產生扇出型晶圓級封裝(FOWLP)半導體器件的方法可以包括將半導體晶圓切割成多個半導體管芯。多個半導體管芯中的半導體管芯可以包括：有源表面；背側表面，該背側表面與有源表面相背對；多個側表面，該多個側表面中的每個側表面在有源表面與背側表面之間延伸；多個導電凸塊，該多個導電凸塊設置在有源表面上；以及絕緣層，該絕緣層設置在有源表面的第一部分上。有源表面的第一部分可以設置在多個導電凸塊之間。該方法還可以包括：增大在多個半導體管芯之間的間距；以及在模塑料中包封半導體管芯的背側表面、多個側表面以及有源表面的第二部分。有源表面的第二部分可以設置在導電凸塊與有源表面的周邊邊緣之間。模塑料還可以設置在多個半導體管芯之間。該方法還可以包括形成信號分配結構。信號分配結構可以設置在導電凸塊、絕緣層以及模塑料上。信號分配結構可以被配置為提供到多個導電凸塊的相應電連接件。

在另一個一般方面，產生扇出型晶圓級封裝(FOWLP)半導體器件的方法可以包括將半導體晶圓設置在第一載帶上并將半導體晶圓切割成多個半導體管芯。多個半導體管芯中的半導體管芯可以包括：有源表面；背側表面，該背側表面與有源表面相背對；多個側表面，每個側表面在有源表面與背側表面之間延伸；多個導電凸塊，該多個導電凸塊設置在有源表面上；以及絕緣層，該絕緣層設置在有源表面的第一部分上。有源表面的第一部分可以設置在多個導電凸塊之間。該方法還可以包括通過沿著第一載帶的第一軸線并沿著第一載帶的第二軸線拉伸第一載帶來增大在多個半導體管芯之間的間距。該方法還可以包括：在拉伸第一載帶之后，將多個半導體管芯從第一載帶轉移到第二載帶；以及沿著第二載帶的第一軸線并沿著第二載帶的第二軸線拉伸第二載帶。該方法還可以包括在模塑料中包封半導體管芯的背側表面、多個側表面以及有源表面的第二部分。有源表面的第二部分可以在導電凸塊與有源表面的周邊邊緣之間。模塑料還可以設置在多個半導體管芯之間。該方法還可以包括形成信號分配結構。信號分配結構可以設置在導電凸塊、絕緣層以及模塑料上。信號分配結構可以被配置為提供到多個導電凸塊的相應電連接件。

附圖說明