[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的扇出型晶圓級(jí)封裝在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910849864.3 | 申請(qǐng)日: | 2019-09-10 |
| 公開(公告)號(hào): | CN110970380A | 公開(公告)日: | 2020-04-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張基松;林育聖;G·M·格里弗納;野間崇 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 半導(dǎo)體元件工業(yè)有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào): | H01L23/485 | 分類號(hào): | H01L23/485;H01L23/498;H01L21/60 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038 | 代理人: | 秦晨 |
| 地址: | 美國亞*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體器件 扇出型晶圓級(jí) 封裝 | ||
1.一種扇出型晶圓級(jí)封裝半導(dǎo)體器件,包括:
半導(dǎo)體管芯,所述半導(dǎo)體管芯具有:
有源表面;
背側(cè)表面,所述背側(cè)表面與所述有源表面相背對(duì);
多個(gè)側(cè)表面,所述多個(gè)側(cè)表面中的每個(gè)側(cè)表面在所述有源表面與所述背側(cè)表面之間延伸;
多個(gè)導(dǎo)電凸塊,所述多個(gè)導(dǎo)電凸塊設(shè)置在所述有源表面上;和
絕緣層,所述絕緣層設(shè)置在所述有源表面的第一部分上,
所述有源表面的所述第一部分設(shè)置在所述多個(gè)導(dǎo)電凸塊之間;
模塑料,所述模塑料包封所述背側(cè)表面、所述多個(gè)側(cè)表面以及所述有源表面的第二部分,所述有源表面的所述第二部分設(shè)置在所述多個(gè)導(dǎo)電凸塊與所述有源表面的周邊邊緣之間;和
信號(hào)分配結(jié)構(gòu),所述信號(hào)分配結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述多個(gè)導(dǎo)電凸塊上、設(shè)置在所述絕緣層上并且設(shè)置在所述模塑料上,所述信號(hào)分配結(jié)構(gòu)被配置為提供到所述多個(gè)導(dǎo)電凸塊的相應(yīng)電連接件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出型晶圓級(jí)封裝半導(dǎo)體器件,其中:
所述模塑料完全地包封所述背側(cè)表面和所述多個(gè)側(cè)表面;并且
所述絕緣層包含聚酰亞胺材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出型晶圓級(jí)封裝半導(dǎo)體器件,其中:
所述有源表面上的所述模塑料的厚度大于或等于5微米;并且
所述有源表面上的所述模塑料的在所述多個(gè)導(dǎo)電凸塊與所述有源表面的所述周邊邊緣之間的寬度大于或等于5微米。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出型晶圓級(jí)封裝半導(dǎo)體器件,其中所述多個(gè)導(dǎo)電凸塊為第一多個(gè)導(dǎo)電凸塊,所述信號(hào)分配結(jié)構(gòu)包括:
第一介電層,所述第一介電層設(shè)置在所述絕緣層上、設(shè)置在所述第一多個(gè)導(dǎo)電凸塊上并且設(shè)置在所述模塑料上,所述第一介電層具有平坦表面;
穿過所述第一介電層的多個(gè)通孔開口;和
到所述第一多個(gè)導(dǎo)電凸塊的多個(gè)電連接件,所述多個(gè)電連接件中的每個(gè)電連接件設(shè)置在所述第一介電層的所述平坦表面上并且設(shè)置在所述多個(gè)通孔開口中的相應(yīng)通孔開口中;
第二介電層,所述第二介電層設(shè)置在所述多個(gè)電連接件和所述第一介電層上;
穿過所述第二介電層的多個(gè)通孔開口;和
第二多個(gè)導(dǎo)電凸塊,所述第二多個(gè)導(dǎo)電凸塊設(shè)置在所述第二介電層中的所述多個(gè)通孔開口中的相應(yīng)通孔開口中,并且設(shè)置在所述多個(gè)電連接件中的相應(yīng)電連接件上。
5.一種生產(chǎn)扇出型晶圓級(jí)封裝半導(dǎo)體器件的方法,所述方法包括:
將半導(dǎo)體晶圓分離成多個(gè)半導(dǎo)體管芯,所述多個(gè)半導(dǎo)體管芯中的半導(dǎo)體管芯包括:
有源表面;
背側(cè)表面,所述背側(cè)表面與所述有源表面相背對(duì);
多個(gè)側(cè)表面,所述多個(gè)側(cè)表面中的每個(gè)側(cè)表面在所述有源表面與所述背側(cè)表面之間延伸;
多個(gè)導(dǎo)電凸塊,所述多個(gè)導(dǎo)電凸塊設(shè)置在所述有源表面上;和
絕緣層,所述絕緣層設(shè)置在所述有源表面的第一部分上,
所述有源表面的所述第一部分設(shè)置在所述多個(gè)導(dǎo)電凸塊之間;
增大所述多個(gè)半導(dǎo)體管芯之間的間距;
在模塑料中包封所述半導(dǎo)體管芯的所述背側(cè)表面、所述多個(gè)側(cè)表面以及所述有源表面的第二部分,所述有源表面的所述第二部分設(shè)置在所述多個(gè)導(dǎo)電凸塊與所述有源表面的周邊邊緣之間,所述模塑料還設(shè)置在所述多個(gè)半導(dǎo)體管芯之間;以及
形成信號(hào)分配結(jié)構(gòu),所述信號(hào)分配結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述多個(gè)導(dǎo)電凸塊、所述絕緣層以及所述模塑料上,所述信號(hào)分配結(jié)構(gòu)被配置為提供到所述多個(gè)導(dǎo)電凸塊的相應(yīng)電連接件。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,還包括:
在將所述半導(dǎo)體晶圓分離成所述多個(gè)半導(dǎo)體管芯之前,將所述半導(dǎo)體晶圓設(shè)置在第一載體上,
其中所述增大所述多個(gè)半導(dǎo)體管芯之間的間距包括:在將所述半導(dǎo)體晶圓切割成所述多個(gè)半導(dǎo)體管芯之后:
從所述第一載體上取下所述多個(gè)半導(dǎo)體管芯;以及
將所述多個(gè)半導(dǎo)體管芯以所增大的間距放置在第二載體上。
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