[發(fā)明專利]硅外延生長方法及半導體結構

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910842905.6
• 申請日: 2019-09-06
• 公開（公告）號: CN110544620A
• 公開（公告）日: 2019-12-06
• 發(fā)明（設計）人: 宋洋;馬雁飛;葉康
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/336
• 代理公司: 31237 上海思微知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 曹廷廷<國際申請>=<國際公布>=<進入

1.一種硅外延生長方法，其特征在于，所述硅外延生長的方法包括：

提供半導體襯底，在所述半導體襯底上形成柵極結構；

在所述柵極結構側形成側墻；

在所述側墻側的半導體襯底中形成開口，所述開口作為硅生長窗口；

在所述開口中進行硅外延生長工藝，形成硅外延層。

2.如權利要求1所述的硅外延生長方法，其特征在于，所述半導體襯底表面形成有氧化層。

3.如權利要求1所述的硅外延生長方法，其特征在于，所述開口的底部位于所述半導體襯底中，所述開口的底部與所述氧化層的下表面的距離為5～10nm。

4.如權利要求1所述的硅外延生長方法，其特征在于，所述側墻包括覆蓋所述柵極結構的側壁的第一側墻和覆蓋所述第一側墻的第二側墻。

5.如權利要求4所述的硅外延生長方法，其特征在于，所述第一側墻通過原子層沉積氮化硅形成，所述第一側墻厚度為4～6nm。

6.如權利要求5所述的硅外延生長方法，其特征在于，所述第二側墻通過空心陰極離子鍍沉積氮化硅柵極形成，所述第二側墻厚度為4～8nm。

7.如權利要求1所述的硅外延生長方法，其特征在于，通過干法刻蝕工藝形成所述開口，所述干法刻蝕工藝采用的刻蝕氣體為氯氣、溴化氫、三氯化硼和氬氣中的一種或組合。

8.如權利要求1所述的硅外延生長方法，其特征在于，所述硅外延層的厚度為15～30nm。

9.一種半導體結構，其特征在于，所述半導體結構包括：

半導體襯底，所述半導體襯底上形成有柵極結構和側墻，所述側墻覆蓋所述柵極結構的側壁；

所述側墻側的所述半導體襯底中形成有開口，所述開口中形成有硅外延層。

10.如權利要求9所述的半導體結構，其特征在于，所述側墻結構包括覆蓋所述柵極結構的側壁的第一側墻和覆蓋第一側墻的第二側墻。