[發明專利]半導體存儲器設備和操作該半導體存儲器設備的方法

在審

• 申請號: 201910840521.0
• 申請日: 2019-09-05
• 公開（公告）號: CN111258495A
• 公開（公告）日: 2020-06-09
• 發明（設計）人: 姜信行;吳成一
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06;G06F13/16
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 倪斌

1.一種半導體存儲器設備，包括：

多個存儲體組，被配置為被并行訪問；

內部存儲器總線，被配置為從所述多個存儲體組的外部接收外部數據；以及

第一計算電路，被配置為：在多個第一周期中的每個第一周期期間從所述多個存儲體組中的第一存儲體組接收內部數據，在多個第二周期中的每個第二周期期間通過所述內部存儲器總線來接收所述外部數據，所述第二周期短于所述第一周期，并且在每個第二周期期間針對所述內部數據和所述外部數據執行存儲器中處理“PIM”算術運算。

2.根據權利要求1所述的半導體存儲器設備，其中，所述第一周期對應于為了連續訪問所述多個存儲體組中的相同的存儲體組所需要的延遲時間，以及

所述第二周期對應于為了連續訪問所述多個存儲體組中的不同的存儲體組所需要的延遲時間。

3.根據權利要求1所述的半導體存儲器設備，其中，所述第一周期是所述第二周期的n倍，其中n是大于或等于2的自然數。

4.根據權利要求3所述的半導體存儲器設備，其中，第一計算電路還被配置為：在針對所述內部數據和所述外部數據執行PIM算術運算時將所述內部數據重復使用n次。

5.根據權利要求1所述的半導體存儲器設備，其中，所述半導體存儲器設備還包括多個存儲器通道，所述多個存儲器通道包括第一存儲器通道，所述第一存儲器通道包括所述第一存儲體組，以及

所述外部數據是以下任意一項或以下任意兩項或更多項的任意組合：所述多個存儲器通道中的除了所述第一存儲器通道之外的任意一個存儲器通道中存儲的數據、所述半導體存儲器設備的外部的另一個半導體存儲器設備中存儲的數據、以及由所述半導體存儲器設備的外部的主機處理器所處理的數據。

6.根據權利要求1所述的半導體存儲器設備，其中，所述第一計算電路包括n個緩沖器，每個緩沖器被配置為：存儲針對所述內部數據和所述外部數據執行的PIM算術運算的結果，其中，n是通過將所述第一周期除以所述第二周期所獲得的商。

7.根據權利要求6所述的半導體存儲器設備，其中，所述第一計算電路還配置為：在所述n個緩沖器中連續存儲針對所述內部數據和所述外部數據執行的PIM算術運算的結果。

8.根據權利要求6所述的半導體存儲器設備，其中，所述第一計算電路還包括：

解復用器，被連接至所述n個緩沖器，以及

選擇器，被配置為：輸出用于控制所述解復用器選擇所述n個緩沖器中的一個緩沖器用于存儲針對所述內部數據和所述外部數據執行的PIM算術運算的結果的控制信號。

9.根據權利要求8所述的半導體存儲器設備，其中，所述選擇器包括計數器，所述計數器被配置為對所述第二周期進行計數并輸出所述計數器的計數值作為所述控制信號。

10.根據權利要求1所述的半導體存儲器設備，還包括第二計算電路，所述第二計算電路被連接至所述多個存儲體組中的第二存儲體組，

其中，所述第一計算電路和所述第二計算電路被配置為彼此并行操作。

11.一種操作半導體存儲器設備中的計算電路的方法，所述半導體存儲器設備包括被配置為被并行訪問的多個存儲體組、被配置為從所述多個存儲體組的外部接收外部數據的內部存儲器總線、以及計算電路，所述方法包括：

在多個第一周期中的每個第一周期期間從所述多個存儲體組中的第一存儲體組接收內部數據；

在多個第二周期中的每個第二周期期間通過所述內部存儲器總線接收所述外部數據，所述第二周期短于所述第一周期；以及

在每個第二周期期間針對所述內部數據和所述外部數據執行存儲器中處理“PIM”算術運算。