[發明專利]一種制備窄間距的手性微納結構的方法有效

申請號：	201910839132.6	申請日：	2019-09-05
公開（公告）號：	CN110515280B	公開（公告）日：	2021-08-13
發明（設計）人：	張中月;白瑜;唐先龍;景志敏;李穎	申請（專利權）人：	陜西師范大學
主分類號：	G03F7/20	分類號：	G03F7/20
代理公司：	重慶萃智邦成專利代理事務所(普通合伙) 50231	代理人：	竺棟
地址：	710119 陜西***	國省代碼：	陜西;61
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種制備間距手性結構方法
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【說明書】：

本發明涉及微納結構制備領域，具體涉及一種制備窄間距的手性微納結構的方法，主要制備步驟包括涂覆光刻膠、電子束曝光、顯影定影、傾斜蒸鍍金屬材料和剝離光刻膠。制備的過程中曝光較大尺寸的圖形，通過傾斜蒸鍍就可以制備出窄間距的金屬微納結構，并且該結構的參數可以通過蒸鍍束流的角度和蒸鍍時間進行調節。該制備方法操作簡便，避免了制備小間距結構需要很高的工藝要求。

技術領域

本發明涉及微納結構制備領域，具體涉及一種制備窄間距的手性微納結構的方法。

背景技術

隨著中國納米技術和納米電子學的蓬勃發展，納米加工技術的研究越來越重要，而電子束光刻技術將是納米結構圖形加工中非常重要的手段。

電子束刻蝕時近十年來發展起來的一項新的微細加工技術，它是在計算機控制下，利用核能電子束對抗蝕劑的作用而形成的一套全新的高分辨刻蝕技術。他所加工出來的圖形分辨率高，線條邊緣陡直。電子束刻蝕不僅已廣泛用于制造光刻蝕用的掩膜版，而且還可以直接在晶片上加工芯片圖形，實現了以“無掩模”曝光技術來制造集成電路和器件，當前已成為加工微電子器件的重要手段。隨著納米科學的迅猛發展，納米材料和器件已普遍應用在人類生活的各個領域，如電子、生物傳感、半導體芯片、光學新型材料和生物醫用等多個領域。特別是在生物傳感方面，手性探測器經常需要窄間距的手性微納結構。

目前用電子束刻蝕技術加工窄間距圖形，需要高精度的電子束，并且在曝光的過程中對每個參數要求的精準度都要求很高，而且剝離膠時，窄間距的區域，光刻膠不易脫落。

發明內容

為了解決現有技術中存在的制備窄間距手性微納結構時，需要高精度的電子束，并且在曝光的過程中對每個參數要求的精準度都要求很高，而且剝離膠時，窄間距的區域，光刻膠不易脫落的問題，本發明提供了一種制備窄間距的手性微納結構的方法，該結構通過曝光大結構的和傾斜鍍膜就可以制備窄間距手性微納結構，而且制備精度高。

本發明要解決的技術問題通過以下技術方案實現：

一種制備窄間距的手性微納結構的方法，包括以下步驟：

準備基底：準備潔凈的玻璃基底或者ITO基底；

涂覆光刻膠：用甩膠機在準備好的基底表面甩一層光刻膠；

電子束曝光結構圖形：用圖形發生器設計方形周期陣列結構，并用電子束對設定區域曝光刻蝕，得到寬度為d的縫隙；

顯影定影；

蒸鍍金屬：采用電子束真空蒸發鍍膜儀蒸鍍金屬材料；

除膠：將蒸鍍完金屬的基底放入冷藏的丙酮溶液中除膠；

沖洗：用去離子水將除膠后的基底用去離子水沖洗至潔凈。