[發明專利]用于對準納米管的晶圓

在審

• 申請號: 201910833080.1
• 申請日: 2019-09-04
• 公開（公告）號: CN110957315A
• 公開（公告）日: 2020-04-03
• 發明（設計）人: 堤姆斯·文森;荷爾本·朵爾伯斯;馬庫斯瓊斯亨利庫斯·范達爾;麥特西亞斯帕斯拉克
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/092
• 分類號: H01L27/092
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

提供可用于對準納米碳管的晶圓，以及制備和使用納米碳管的方法。這種晶圓包括具有四個側邊和表面電荷的對準區，其中對準區被具有不同極性的表面電荷的區域圍繞。本揭露的一些實施方式的方法可以包括在基板上沉積并選擇性地蝕刻多個硬罩幕。所述的方法還可以包括在這樣的晶圓上沉積納米碳管。

技術領域

本揭露涉及晶圓。

背景技術

最近，納米碳管(carbon nanotube，CNT)已用于場效晶體管(field effecttransistors，FETs)。納米碳管具有圓柱形幾何形狀，直徑約1納米(nm)，并且可以提供優異的電學和機械性能。多種將納米碳管放置在基板(substrate)上的方法已被使用。某些方法會導致納米碳管隨機性的放置(placement)、導向(orientation)或聚集成束(bundling)。

發明內容

本揭露的一實施方式提供一種用于對準納米管的晶圓，包含：多個對準區以及多個間隔區。所述多個對準區具有第一極性的第一表面電荷，所述多個對準區的各對準區具有四個邊緣、第一對角線介于第一頂點與第二頂點之間、以及第二對角線介于第三頂點與第四頂點之間，第一對角線沿第一方向延伸，第二對角線是短于第一對角線。所述多個間隔區具有第二極性的第二表面電荷，第二極性與第一極性不同，所述多個對準區的各對準區的所述四個邊緣鄰接所述多個間隔區的至少一間隔區。

附圖說明

當結合附圖閱讀以下詳細描述時，本揭露的一些實施方式的各種態樣將最易于理解。應注意的是，根據行業標準操作規程，各種特征結構可能并非按比例繪制。事實上，為了論述的清晰性，可以任意地增大或減小各種特征結構的尺寸。

圖1A與1B顯示根據本揭露的一些實施方式的晶圓；

圖2A至2C顯示根據本揭露的一些實施方式的一示例性的對準區、間隔區、以及對準區與間隔區的配置；

圖3A至3C顯示根據一些實施方式，形成本揭露的一些實施方式的晶圓方法的步驟；

圖4A至4C顯示根據一些實施方式，形成本揭露的一些實施方式的晶圓方法的步驟；

圖5A至5C顯示根據一些實施方式，形成本揭露的一些實施方式的晶圓方法的步驟；

圖6A至6C顯示根據一些實施方式，形成本揭露的一些實施方式的晶圓方法的步驟；

圖7A至7C顯示根據一些實施方式，形成本揭露的一些實施方式的晶圓方法的步驟；

圖8A至8C顯示根據一些實施方式，形成本揭露的一些實施方式的晶圓方法的步驟；

圖9A至9C顯示根據一些實施方式，形成本揭露的一些實施方式的晶圓方法的步驟；

圖10A至10C顯示根據一些實施方式，形成本揭露的一些實施方式的晶圓方法的步驟；

圖11A至11C顯示根據一些實施方式，形成本揭露的一些實施方式的晶圓方法的步驟；

圖12A至12C顯示根據一些實施方式，形成本揭露的一些實施方式的晶圓方法的步驟；

圖13A至13C顯示根據一些實施方式，形成本揭露的一些實施方式的晶圓方法的步驟；

圖14A至14C顯示根據一些實施方式，形成本揭露的一些實施方式的晶圓方法的步驟；

圖15A至15C顯示根據一些實施方式，形成本揭露的一些實施方式的晶圓方法的步驟；

圖16顯示根據本揭露的一些實施方式的晶圓；

圖17顯示根據本揭露的一些實施方式的間隔區的放大視圖；