[發明專利]用于對準納米管的晶圓在審
| 申請號： | 201910833080.1 | 申請日： | 2019-09-04 |
| 公開（公告）號： | CN110957315A | 公開（公告）日： | 2020-04-03 |
| 發明（設計）人： | 堤姆斯·文森;荷爾本·朵爾伯斯;馬庫斯瓊斯亨利庫斯·范達爾;麥特西亞斯帕斯拉克 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/092 | 分類號： | H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金國 |
| 地址： | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 對準 納米 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于對準納米管的晶圓，其特征在于，包含：
多個對準區，具有一第一極性的一第一表面電荷，所述多個對準區的各該對準區具有四個邊緣、一第一對角線介于一第一頂點與一第二頂點之間、以及一第二對角線介于一第三頂點與一第四頂點之間，該第一對角線沿一第一方向延伸，該第二對角線是短于該第一對角線；以及
多個間隔區，具有一第二極性的一第二表面電荷，該第二極性與該第一極性不同，所述多個對準區的各該對準區的所述四個邊緣鄰接所述多個間隔區的至少一該間隔區。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
