[發(fā)明專利]一種砷化鎵背侵的去除方法

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• 申請日: 2019-09-03
• 公開（公告）號: CN110373720A
• 公開（公告）日: 2019-10-25
• 發(fā)明（設計）人: 宋向榮;周鐵軍;馬金峰;嚴衛(wèi)東;唐林鋒;劉火陽
• 申請（專利權）人: 廣東先導先進材料股份有限公司
• 主分類號: C30B33/10
• 分類號: C30B33/10;C30B29/42
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 顏希文;宋靜娜

本發(fā)明提供了一種砷化鎵背侵的去除方法，所述方法包括以下步驟：(1)將砷化鎵晶片在有機溶劑中浸洗后用去離子水沖洗；(2)將步驟(1)處理后的砷化鎵晶片浸沒在化學腐蝕液中腐蝕清洗，所述化學腐蝕液包括堿、過氧化氫和水，所述堿為氫氧化鉀或者氫氧化鈉；(3)將步驟(2)處理后的砷化鎵晶片用去離子水沖洗后干燥。本發(fā)明方法能夠去除研磨、拋光和清洗加工工序中造成的砷化鎵晶片背侵，首次解決了研磨、拋光和清洗加工工序中造成的砷化鎵晶片背侵問題。

技術領域

本發(fā)明屬于半導體材料制備技術領域，具體涉及一種砷化鎵背侵的去除方法。

背景技術

砷化鎵(GaAs)晶片是重要的化合物半導體材料之一，應用領域主要分為微電子領域和光電子領域，砷化鎵晶片的表面質量至關重要。砷化鎵晶片的加工工序一般包括切片、磨邊、研磨、拋光、清洗等，但是在研磨、拋光和清洗加工工序中容易造成砷化鎵晶片背侵。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術存在的不足之處而提供一種砷化鎵背侵的去除方法以去除在研磨、拋光和清洗加工工序中造成的砷化鎵晶片背侵。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采取的技術方案為：一種砷化鎵(GaAs)背侵的去除方法，所述方法包括以下步驟：

(1)將砷化鎵晶片在有機溶劑中浸洗后用去離子水沖洗；

(2)將步驟(1)處理后的砷化鎵晶片浸沒在化學腐蝕液中腐蝕清洗，所述化學腐蝕液包括堿、過氧化氫和水，所述堿為氫氧化鉀或者氫氧化鈉；

(3)將步驟(2)處理后的砷化鎵晶片用去離子水沖洗后干燥。

上述去除方法通過將砷化鎵晶片用有機溶劑和水清洗后在化學腐蝕液中腐蝕清洗，通過改變化學腐蝕液的成分，發(fā)現(xiàn)由氫氧化鉀、過氧化氫和水組成的化學腐蝕液或者由氫氧化鈉、過氧化氫和水組成的化學腐蝕液通過腐蝕清洗可以去除砷化鎵背侵。

優(yōu)選地，所述化學腐蝕液中堿的質量濃度為3％-15％，化學腐蝕液中過氧化氫的質量濃度為2％-20％。

當化學腐蝕液中堿的質量濃度為3％-15％，化學腐蝕液中過氧化氫的質量濃度為2％-20％時，對砷化鎵背侵的去除效果更好。

優(yōu)選地，所述化學腐蝕液中過氧化氫的質量濃度為4％-8％。

當化學腐蝕液中過氧化氫的質量濃度為4％-8％時，對砷化鎵背侵的去除效果更好。

優(yōu)選地，化學腐蝕液中堿的質量濃度為5％-10％。

當化學腐蝕液中堿的質量濃度為5％-10％時，對砷化鎵背侵的去除效果更好。

優(yōu)選地，所述步驟(2)中，腐蝕清洗的時間為1分鐘-5分鐘，腐蝕清洗的溫度為10℃-20℃。

優(yōu)選地，所述有機溶劑為乙醇或者乙醇水溶液。

優(yōu)選地，所述步驟(1)中，有機溶劑中浸洗的時間為20min-30min，浸洗的溫度為10℃-40℃。

優(yōu)選地，所述步驟(1)中，去離子水沖洗的方式為溢流漂洗、快排沖水相結合。

優(yōu)選地，所述步驟(2)中，腐蝕清洗的方式為勻速震蕩腐蝕清洗、兆聲波輔助腐蝕清洗或者超聲波輔助腐蝕清洗。

本發(fā)明的有益效果在于：本發(fā)明提供了一種砷化鎵背侵的去除方法，本發(fā)明方法能夠去除研磨、拋光和清洗加工工序中造成的砷化鎵晶片背侵，首次解決了研磨、拋光和清洗加工工序中造成的砷化鎵晶片背侵問題。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實施例的砷化鎵背侵的去除方法的應用效果圖。其中，(a)為在砷化鎵晶片加工工序后產(chǎn)生背侵的砷化鎵晶片，(b)為本發(fā)明實施例的砷化鎵背侵的去除方法應用后的砷化鎵晶片。