[發明專利]清洗方法及等離子體處理裝置

在審

• 申請號: 201910830384.2
• 申請日: 2019-09-04
• 公開（公告）號: CN111105973A
• 公開（公告）日: 2020-05-05
• 發明（設計）人: 巖野光纮;細谷正德
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;B08B7/00
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 徐殿軍

示例性實施方式所涉及的清洗方法中，在等離子體處理裝置的腔室內，由清洗氣體形成等離子體。聚焦環以繞腔室的中心軸線延伸的方式在腔室內搭載于基板支承座上。在等離子體的形成中，通過電磁鐵在腔室內形成磁場分布。磁場分布相對于中心軸線，在徑向上的聚焦環上的位置或比聚焦環更靠外側的位置具有最大水平成分。

技術領域

本發明的示例性實施方式涉及一種清洗方法及等離子體處理裝置。

背景技術

等離子體處理裝置用于針對基板的等離子體處理。等離子體處理裝置具備腔室及基板支承座。基板支承座設置于腔室內。等離子體處理裝置中，向腔室內供給處理氣體，由該處理氣體形成等離子體。通過來自處理氣體的等離子體的化學物種對基板進行處理。

在等離子體處理中生成反應產物。反應產物附著在腔室內的壁面而形成堆積物。需要去除形成于腔室內的壁面的堆積物。日本特開2015-170611號公報中記載有用于去除形成于電容耦合型等離子體處理裝置的上部電極的表面上的堆積物的清洗方法。

發明內容

在1個示例性實施方式中提供了一種清洗方法。清洗方法包含向等離子體處理裝置的腔室內供給清洗氣體的工序。清洗方法還包含為了清洗腔室內的壁面而在腔室內由清洗氣體形成等離子體的工序。在供給清洗氣體的工序及形成等離子體的工序中，聚焦環以繞腔室的中心軸線延伸的方式在腔室內搭載于基板支承座上。在形成等離子體的工序中，通過電磁鐵在腔室內形成磁場分布。磁場分布相對于中心軸線，在徑向上的聚焦環上的位置或比聚焦環更靠外側的位置具有最大水平成分。

附圖說明

圖1是表示1個示例性實施方式所涉及的清洗方法的流程圖。

圖2是概略地表示1個示例性實施方式所涉及的等離子體處理裝置的圖。

圖3是表示圖2所示的等離子體處理裝置的接地導體的內部結構的一例的俯視圖。

具體實施方式

以下，對各種示例性實施方式進行說明。

在1個示例性實施方式中提供了一種清洗方法。清洗方法包含向等離子體處理裝置的腔室內供給清洗氣體的工序。清洗方法還包含為了清洗腔室內的壁面而在腔室內由清洗氣體形成等離子體的工序。在供給清洗氣體的工序及形成等離子體的工序中，聚焦環以繞腔室的中心軸線延伸的方式在腔室內搭載于基板支承座上。在形成等離子體的工序中，通過電磁鐵在腔室內形成磁場分布。磁場分布相對于中心軸線，在徑向上的聚焦環上的位置或比聚焦環更靠外側的位置具有最大水平成分。

根據上述實施方式的清洗方法，通過形成上述磁場分布，等離子體的密度在靠近基板支承座的側方的腔室內的壁面的位置上升。其結果，可有效地從基板支承座的側方的腔室內的壁面去除堆積物。

1個示例性實施方式中，磁場分布也可以在徑向上的比聚焦環更靠外側的位置具有最大水平成分。

1個示例性實施方式中，電磁鐵具有設置于腔室的上方的線圈。線圈繞上述中心軸線沿周向延伸。以線圈的內徑與外徑之和的1/2規定的值可以大于聚焦環的外徑。根據該實施方式，可在從上述中心軸線具有以線圈的內徑與外徑之和的1/4規定的距離的位置獲得上述磁場分布的最大水平成分。該位置為在徑向上的比聚焦環更靠外側的位置。因此，等離子體的密度在靠近基板支承座的側方的腔室內的壁面的位置上升。

1個示例性實施方式中，線圈的內徑可以大于聚焦環的內徑且小于聚焦環的外徑。根據該實施方式，還可以有效地去除形成于聚焦環上的堆積物。

1個示例性實施方式中，可以在如下狀態下執行供給清洗氣體的工序及形成等離子體的工序，即，在基板支承座上且被聚焦環包圍的區域內未載置物體的狀態。或者，可以在如下狀態下執行供給清洗氣體的工序及形成等離子體的工序，即，在基板支承座上且被聚焦環包圍的區域內載置有虛擬基板的狀態。