[發明專利]清洗方法及等離子體處理裝置

在審

• 申請號: 201910830384.2
• 申請日: 2019-09-04
• 公開（公告）號: CN111105973A
• 公開（公告）日: 2020-05-05
• 發明（設計）人: 巖野光纮;細谷正德
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;B08B7/00
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 徐殿軍

1.一種清洗方法，其包含：

向等離子體處理裝置的腔室內供給清洗氣體的工序；及

為了清洗所述腔室內的壁面，在所述腔室內由所述清洗氣體形成等離子體的工序，

在供給清洗氣體的所述工序及形成等離子體的所述工序中，聚焦環以繞所述腔室的中心軸線延伸的方式在所述腔室內搭載于基板支承座上，

在形成等離子體的所述工序中，通過電磁鐵在所述腔室內形成磁場分布，

所述磁場分布相對于所述中心軸線，在徑向上的所述聚焦環上的位置或比該聚焦環更靠外側的位置具有最大水平成分。

2.根據權利要求1所述的清洗方法，其中，

所述磁場分布在所述徑向上的比所述聚焦環更靠外側的所述位置具有所述最大水平成分。

3.根據權利要求2所述的清洗方法，其中，

所述電磁鐵具有設置于所述腔室的上方的線圈，該線圈繞所述中心軸線沿周向延伸，

以所述線圈的內徑與外徑之和的1/2規定的值大于所述聚焦環的外徑。

4.根據權利要求3所述的清洗方法，其中，

所述線圈的所述內徑大于所述聚焦環的內徑且小于所述聚焦環的所述外徑。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的清洗方法，其中，

在如下狀態下執行供給清洗氣體的所述工序及形成等離子體的所述工序，即，在所述基板支承座上且被所述聚焦環包圍的區域內未載置物體的狀態。

6.根據權利要求1至4中任一項所述的清洗方法，其中，

在如下狀態下進行供給清洗氣體的所述工序及形成等離子體的所述工序，即，在所述基板支承座上且被所述聚焦環包圍的區域內載置有虛擬基板的狀態。

7.一種等離子體處理裝置，其具備：

腔室；

基板支承座，設置于所述腔室內；

氣體供給部，構成為向所述腔室內供給清洗氣體；

高頻電源，構成為為了在所述腔室內由氣體生成等離子體而產生高頻電力；

電磁鐵，構成為在所述腔室內形成磁場分布；

驅動電源，與所述電磁鐵電連接；及

控制部，構成為控制所述氣體供給部、所述高頻電源及所述驅動電源，

聚焦環以繞所述腔室的中心軸線延伸的方式搭載于所述基板支承座上，

所述控制部構成為：

以如下方式控制所述氣體供給部，即，向所述腔室內供給清洗氣體，

以如下方式控制所述高頻電源，即，為了在所述腔室內由所述清洗氣體形成等離子體來清洗所述腔室內的壁面，供給所述高頻電力，

以如下方式控制所述驅動電源，即，在所述等離子體的生成中，通過所述電磁鐵，在所述腔室內形成磁場分布，所述磁場分布相對于所述中心軸線，在徑向上的所述聚焦環上的位置或比該聚焦環更靠外側的位置具有最大水平成分。

8.根據權利要求7所述的等離子體處理裝置，其中，

所述磁場分布在所述徑向上的比所述聚焦環更靠外側的所述位置具有所述最大水平成分。

9.根據權利要求8所述的等離子體處理裝置，其中，

所述電磁鐵具有設置于所述腔室的上方的線圈，該線圈繞所述中心軸線沿周向延伸，

以所述線圈的內徑與外徑之和的1/2規定的值大于所述聚焦環的外徑。

10.根據權利要求9所述的等離子體處理裝置，其中，

所述線圈的所述內徑大于所述聚焦環的內徑且小于所述聚焦環的所述外徑。