[發(fā)明專利]一種濕法刻蝕缺陷的檢測(cè)方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910828808.1
• 申請(qǐng)日: 2019-09-03
• 公開（公告）號(hào): CN110634759B
• 公開（公告）日: 2022-02-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王晟;李琦緣
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66
• 代理公司: 上海申新律師事務(wù)所 31272
• 代理人: 俞滌炯

1.一種濕法刻蝕缺陷的檢測(cè)方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供一測(cè)試晶圓，對(duì)所述測(cè)試晶圓的上表面進(jìn)行一濕法刻蝕工藝；

于經(jīng)過(guò)所述濕法刻蝕工藝后的所述測(cè)試晶圓上表面去除預(yù)定厚度；

檢測(cè)所述去除預(yù)定厚度后的測(cè)試晶圓以獲得所述濕法刻蝕工藝對(duì)所述測(cè)試晶圓造成的缺陷；

所述預(yù)定厚度通過(guò)以下步驟獲得：

對(duì)另一已執(zhí)行所述濕法刻蝕工藝的測(cè)試晶圓進(jìn)行切片；

獲取所述切片上粗糙層的厚度，并以所述粗糙層的厚度為所述預(yù)定厚度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)方法，其特征在于，所述測(cè)試晶圓具有一外延層，所述濕法刻蝕工藝刻蝕所述外延層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的檢測(cè)方法，其特征在于，所述外延層通過(guò)對(duì)所述測(cè)試晶圓執(zhí)行一外延工藝獲得。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)方法，其特征在于，所述于經(jīng)過(guò)所述濕法刻蝕工藝后的所述測(cè)試晶圓上表面去除一預(yù)設(shè)厚度的步驟中，通過(guò)一拋光工藝去除所述預(yù)定厚度。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的檢測(cè)方法，其特征在于，所述拋光工藝為化學(xué)機(jī)械研磨。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)方法，其特征在于，上述獲取所述切片上粗糙層的厚度的步驟中，通過(guò)掃描電鏡和/或透射電鏡觀察所述切片以獲得所述粗糙層的厚度。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)方法，其特征在于，所述預(yù)定厚度為58-60nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)方法，其特征在于，所述預(yù)定厚度為58nm，58.5nm，59nm，59.5nm或者60nm。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)方法，其特征在于，上述檢測(cè)所述去除預(yù)定厚度后的測(cè)試晶圓以獲得所述濕法刻蝕工藝對(duì)所述測(cè)試晶圓造成的缺陷的步驟中，通過(guò)掃描電鏡和/或透射電鏡觀察所述測(cè)試晶圓，以獲得所述濕法刻蝕工藝對(duì)所述測(cè)試晶圓造成的缺陷。