[發(fā)明專利]一種濕法刻蝕缺陷的檢測方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910828808.1
• 申請(qǐng)日: 2019-09-03
• 公開（公告）號(hào): CN110634759B
• 公開（公告）日: 2022-02-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王晟;李琦緣
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66
• 代理公司: 上海申新律師事務(wù)所 31272
• 代理人: 俞滌炯

本發(fā)明公開了一種濕法刻蝕缺陷的檢測方法，涉及半導(dǎo)體檢測缺陷領(lǐng)域。具體包括以下步驟：提供一測試晶圓，對(duì)所述測試晶圓的上表面進(jìn)行一濕法刻蝕工藝；于經(jīng)過所述濕法刻蝕工藝后的所述測試晶圓上表面去除一預(yù)定厚度；檢測所述去除預(yù)定厚度后的測試晶圓以獲得所述濕法刻蝕工藝對(duì)所述測試晶圓造成的缺陷。本發(fā)明的有益效果：對(duì)經(jīng)過硅濕法刻蝕后的測試晶圓，增加去除測試晶圓表面一預(yù)定厚度，排除測試晶圓的粗糙層對(duì)檢測的干擾，使缺陷在缺陷掃描時(shí)能被輕易準(zhǔn)確的檢測出。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體檢測缺陷方法，尤其涉及一種濕法刻蝕缺陷的檢測方法。

背景技術(shù)

集成電路是在晶圓的表面一層一層疊加形成，隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的飛速發(fā)展，集成電路功能越來越強(qiáng)大，其制造過程也越來越復(fù)雜。從晶圓到集成電路，其制造工藝相當(dāng)復(fù)雜，對(duì)應(yīng)的制造成本也非常高，因此需要對(duì)每一道工序做嚴(yán)格控制。若是其中任何一個(gè)工藝步驟的控制不當(dāng)，則會(huì)使得形成的集成電路出現(xiàn)質(zhì)量問題，導(dǎo)致晶圓的報(bào)廢。因此需要對(duì)每一道工序之前對(duì)需要工藝的機(jī)臺(tái)做嚴(yán)格控制，在實(shí)際的生產(chǎn)過程中，往往先對(duì)需要工藝的機(jī)臺(tái)用測試晶圓(monitor wafer)進(jìn)行實(shí)驗(yàn)監(jiān)控，如果實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)在我們的控制范圍內(nèi)，則機(jī)臺(tái)才符合可生產(chǎn)狀態(tài)。

在測試晶圓進(jìn)行濕法刻蝕時(shí)，濕法刻蝕時(shí)酸液對(duì)晶圓進(jìn)行刻蝕，晶圓表面會(huì)變得十分粗糙，表面變得疏松多孔。缺陷掃描只能對(duì)晶圓表面進(jìn)行檢測，預(yù)先設(shè)定的缺陷掃描菜單會(huì)將粗糙層的表面設(shè)定為正常，并進(jìn)行過濾，將粗糙層過濾掉的同時(shí)與粗糙層形貌類似的缺陷也會(huì)存在被一并過濾的可能。所以會(huì)導(dǎo)致缺陷掃描時(shí)未檢測到缺陷，但實(shí)際中存在缺陷的現(xiàn)象。而線上產(chǎn)品往往經(jīng)過之前繁瑣的工藝比測試晶圓更容易出現(xiàn)缺陷，并將缺陷放大，將產(chǎn)品進(jìn)行濕法刻蝕后，大量的缺陷會(huì)出現(xiàn)在晶圓表面，最終導(dǎo)致產(chǎn)品質(zhì)量問題，現(xiàn)有的用測試晶圓檢測濕法刻蝕的方法不能很好地監(jiān)控線上產(chǎn)品，需要一種更可靠的檢測方法來檢測缺陷。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)，特提出了一種濕法刻蝕缺陷的檢測方法，包括以下步驟：

提供一測試晶圓，對(duì)所述測試晶圓的上表面進(jìn)行一濕法刻蝕工藝；

于經(jīng)過所述濕法刻蝕工藝后的所述測試晶圓上表面去除一預(yù)定厚度；

-檢測所述去除預(yù)定厚度后的測試晶圓以獲得所述濕法刻蝕工藝對(duì)所述測試晶圓造成的缺陷。

優(yōu)選的，所述測試晶圓具有一外延層，所述濕法刻蝕工藝刻蝕所述外延層。

優(yōu)選的，所述外延層通過對(duì)所述測試晶圓執(zhí)行一外延工藝獲得。

優(yōu)選的，所述于經(jīng)過所述濕法刻蝕工藝后的所述測試晶圓上表面去除一預(yù)設(shè)厚度的步驟中，通過一拋光工藝去除所述預(yù)定厚度。

優(yōu)選的，所述拋光工藝為化學(xué)機(jī)械研磨。

優(yōu)選的，所述預(yù)定厚度通過以下步驟獲得：

對(duì)一已執(zhí)行所述濕法刻蝕工藝的測試晶圓進(jìn)行切片；

獲取所述切片上粗糙層的厚度，并以所述粗糙層的厚度為所述預(yù)定厚度。

優(yōu)選的，上述獲取所述切片上粗糙層的厚度的步驟中，通過掃描電鏡和/或透射電鏡觀察所述切片以獲得所述粗糙層的厚度。

優(yōu)選的，所述預(yù)定厚度為58-60nm。

優(yōu)選的，所述預(yù)定厚度為58nm，58.5nm，59nm，59.5nm或者60nm。

優(yōu)選的，上述檢測所述去除預(yù)定厚度后的測試晶圓以獲得所述濕法刻蝕工藝對(duì)所述測試晶圓造成的缺陷的步驟中，通過掃描電鏡和/或透射電鏡觀察所述測試晶圓，以獲得所述濕法刻蝕工藝對(duì)所述測試晶圓造成的缺陷。

本發(fā)明具有以下有益效果：