[發明專利]濺射裝置及濺射裝置控制方法

有效

• 申請號: 201910828540.1
• 申請日: 2019-09-03
• 公開（公告）號: CN110872694B
• 公開（公告）日: 2022-01-04
• 發明（設計）人: 樸瑨哲
• 申請（專利權）人: 亞威科股份有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/54
• 代理公司: 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327
• 代理人: 姜虎;陳英俊

涉及濺射裝置及濺射裝置控制方法，該裝置包括：支撐部，用于支撐基板；靶，從支撐部沿第一軸方向隔開配置；獲取部，以第一軸方向為基準，測量在被支撐部支撐的基板與靶之間生成的等離子體的強度，以獲取等離子體值；磁鐵部，調節等離子體的強度；以及移動部，沿第一軸方向移動磁鐵部，其中，磁鐵部包括沿垂直于第一軸方向的第二軸方向隔開配置的多個磁鐵模塊，移動部包括結合于各個磁鐵模塊的多個移動模塊，多個移動模塊分別包括：中間移動機構，沿第一軸方向移動多個磁鐵模塊的中間磁鐵；上部移動機構，沿第一軸方向移動多個磁鐵模塊的上部磁鐵；以及下部移動機構，沿第一軸方向移動多個磁鐵模塊的下部磁鐵。

技術領域

本發明涉及對基板進行諸如蒸鍍工藝等濺射工藝的濺射裝置及濺射裝置控制方法。

背景技術

一般，為了制造顯示裝置、太陽能電池(Solar Cell)、半導體器件等，應當在基板上形成預定的薄膜層、薄膜回路圖案或光學圖案。為此，對基板進行處理工藝，例如，在基板上蒸鍍特定材料的薄膜的蒸鍍工藝、采用感光性材料以使薄膜選擇性暴露的光刻工藝、去除被選擇性暴露的部分的薄膜以形成圖案的蝕刻工藝等。

像這樣，對基板進行處理工藝的裝備有濺射裝置。濺射裝置主要實施在基板上蒸鍍薄膜的蒸鍍工藝，采用物理蒸鍍方式，實施濺射工藝。

現有技術涉及的濺射裝置包括：支撐部，用于支撐基板；靶(Target)，從所述支撐部隔開配置；以及磁鐵(Magnet)，用于生成等離子體?，F有技術涉及的濺射裝置在被所述支撐部支撐的基板與靶之間生成等離子體，隨著多個離子化粒子由于所生成的等離子體而撞擊所述靶，形成所述靶的薄膜材料蒸鍍到所述基板上，進行所述濺射工藝。

其中，現有技術涉及的濺射裝置利用在所述基板與所述靶之間生成的等離子體進行所述濺射工藝，但等離子體的強度在多個不同的區域有差異。因此，現有技術涉及的濺射裝置存在如下問題。

第一，由于現有技術涉及的濺射裝置在多個不同的區域等離子體的強度有差異，將按照所述靶的不同的部分發生侵蝕率的差異。因此，現有技術涉及的濺射裝置存在的問題在于，因在所述靶中發生侵蝕最多的部分而導致剩余可使用的部分也不能使用。因此，現有技術涉及的濺射裝置隨著所述靶的總使用量的減少，靶的使用壽命減少，因此由于更換所述靶等而工藝費用增加。另外，現有技術涉及的濺射裝置隨著所述靶的使用周期縮短，由于更換所述靶而導致停止全體工藝的時間增加，因此由于運行率減小而導致完成濺射工藝的基板的生產率降低。

第二，由于現有技術涉及的濺射裝置按照各個區域，等離子體的強度有差異，將按照所述基板不同的部分發生薄膜的蒸鍍率的差異。因此，現有技術涉及的濺射裝置存在蒸鍍到所述基板的薄膜的均勻度降低等完成所述濺射工藝的基板的品質降低的問題。

發明內容

技術問題

本發明是為了解決上述問題而提出的，提供濺射裝置及濺射裝置控制方法，可防止由于按照各個區域發生等離子體的強度的差異而靶的使用效率降低。

本發明是提供濺射裝置及濺射裝置控制方法，可防止由于按照各個區域發生等離子體的強度的差異而完成濺射工藝的基板的品質降低。

技術方案

為了解決所述問題，本發明包括如下結構。