[發明專利]濺射裝置及濺射裝置控制方法

有效

• 申請號: 201910828540.1
• 申請日: 2019-09-03
• 公開（公告）號: CN110872694B
• 公開（公告）日: 2022-01-04
• 發明（設計）人: 樸瑨哲
• 申請（專利權）人: 亞威科股份有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/54
• 代理公司: 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327
• 代理人: 姜虎;陳英俊

1.一種濺射裝置控制方法，該濺射裝置利用以第一軸方向為基準時生成在基板與靶之間的等離子體進行濺射工藝，其特征在于，包括：

等離子體值獲取步驟，對沿垂直于所述第一軸方向的第二軸方向配置的多個模塊區域分別測量等離子體的強度，并且以分別垂直于所述第一軸方向和所述第二軸方向的上下方向為基準，對各個所述模塊區域，按照上部區域、中間區域以及下部區域分別測量等離子體的強度，以獲取多個所述上部區域的多個上部等離子體值、多個所述中間區域的多個中間等離子體值、多個所述下部區域的多個下部等離子體值；

基準值設定步驟，按照各個所述模塊區域，計算出所述上部等離子體值、所述中間等離子體值以及所述下部等離子體值的模塊平均值，并利用按照各個所述模塊區域計算出的多個模塊平均值，設定基準值；

比較步驟，判斷多個所述上部等離子體值、多個所述中間等離子體值以及多個所述下部等離子體值是否分別與所述基準值一致；

調節步驟，根據在所述比較步驟中的判斷結果，以所述第一軸方向為基準，分別調節多個上部磁鐵、多個中間磁鐵以及多個下部磁鐵從所述靶隔開的距離，其中，多個所述上部磁鐵用于調節在多個所述上部區域所生成的等離子體的強度，多個所述中間磁鐵用于調節在多個所述中間區域所生成的等離子體的強度，多個所述下部磁鐵用于調節在多個所述下部區域所生成的等離子體的強度；以及

再執行步驟，在進行所述調節步驟之后，從所述等離子體值獲取步驟開始再次執行，

所述等離子體值獲取步驟中，在執行所述濺射工藝期間分別獲取多個上部等離子體值、多個中間等離子體值、多個下部等離子體值，

所述基準值設定步驟中，在執行所述濺射工藝期間設定所述基準值，

所述調節步驟中，根據所述比較步驟的判斷結果，在執行所述濺射工藝期間以所述第一軸方向為基準，分別調節多個上部磁鐵、多個中間磁鐵以及多個下部磁鐵從所述靶隔開的距離，

重復進行所述再執行步驟，直至多個所述上部等離子體值、多個所述中間等離子體值以及多個所述下部等離子體值分別與所述基準值一致。

2.根據權利要求1所述的濺射裝置控制方法，其特征在于，

所述等離子體值獲取步驟包括：

第一等離子體值獲取步驟，分別對多個所述模塊區域中的第一模塊區域的第一上部區域、第一中間區域以及第一下部區域測量等離子體的強度，以獲取所述第一上部區域的第一上部等離子體值、所述第一中間區域的第一中間等離子體值以及所述第一下部區域的第一下部等離子體值；

第二等離子體值獲取步驟，分別對多個所述模塊區域中的第二模塊區域的第二上部區域、第二中間區域以及第二下部區域測量等離子體的強度，以獲取所述第二上部區域的第二上部等離子體值、所述第二中間區域的第二中間等離子體值以及所述第二下部區域的第二下部等離子體值；以及

第三等離子體值獲取步驟，分別對多個所述模塊區域中的第三模塊區域的第三上部區域、第三中間區域以及第三下部區域測量等離子體的強度，以獲取所述第三上部區域的第三上部等離子體值、所述第三中間區域的第三中間等離子體值以及所述第三下部區域的第三下部等離子體值。

3.根據權利要求2所述的濺射裝置控制方法，其特征在于，

所述基準值設定步驟包括：

第一計算步驟，計算所述第一上部等離子體值、所述第一中間等離子體值以及所述第一下部等離子體值的第一模塊平均值；

第二計算步驟，計算所述第二上部等離子體值、所述第二中間等離子體值以及所述第二下部等離子體值的第二模塊平均值；

第三計算步驟，計算所述第三上部等離子體值、所述第三中間等離子體值以及所述第三下部等離子體值的第三模塊平均值；以及

設定步驟，利用所述第一模塊平均值、所述第二模塊平均值以及所述第三模塊平均值，設定所述基準值。

4.根據權利要求1所述的濺射裝置控制方法，其特征在于，

所述基準值設定步驟中，利用按照各個所述模塊區域計算出的多個模塊平均值的綜合平均值、按照各個所述模塊區域計算出的多個模塊平均值中的最大平均值、以及按照各個所述模塊區域計算出的多個模塊平均值中的最小平均值，來設定所述基準值。