[發(fā)明專利]一種原位生長氮化硅納米線增強復(fù)合材料的制備方法及應(yīng)用在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910827588.0 | 申請日： | 2019-09-03 |
| 公開（公告）號： | CN110511006A | 公開（公告）日： | 2019-11-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 吳寶林;侯振華 | 申請（專利權(quán)）人： | 江西嘉捷信達新材料科技有限公司 |
| 主分類號： | C04B35/14 | 分類號： | C04B35/14;C04B35/80;C04B35/622;H01Q1/42 |
| 代理公司： | 32341 南京中律知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人： | 沈振濤<國際申請>=<國際公布>=<進入 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南昌高*** | 國省代碼： | 江西;36 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 雷達天線罩 天線窗材料 納米線 天線窗 天線罩 飛行器 制備 氮化硅納米線 增強復(fù)合材料 硅溶膠溶液 無機玻璃粉 高溫氨氣 介電常數(shù) 介電損耗 力學(xué)性能 原位生長 低熔點 流動相 熱應(yīng)力 生長源 拉伸 愈合 陶瓷 生長 應(yīng)用 | ||
1.一種原位生長氮化硅納米線增強復(fù)合材料的制備方法，其特征在于：該方法具體步驟如下：
步驟一：將SiO2f預(yù)制體放入馬弗爐中，空氣環(huán)境下1-2小時升溫至80-90℃，保溫2-4小時；2-3小時升溫至200-250℃，保溫2-4小時；隨爐冷卻至室溫；
步驟二：將納米氮化硅粉末置于蒸餾水中，超聲震蕩20-30min，納米氮化硅粉末與蒸餾水的量的比為(40-50)g：100ml，隨后在80-100℃環(huán)境下，干燥6-8小時；
步驟三：將步驟二所得納米氮化硅粉末與低熔點無機玻璃粉混合，加入球磨機，以20-100r/min的速度球磨8-12小時，過1000目篩；
步驟四：將步驟三所得粉末置于硅溶膠均勻混合，以800-1000r/min的速度機械攪拌1-2小時，粉末與硅溶膠的量比為(20-30)g:100ml；
步驟五：將步驟一所得SiO2f預(yù)制體置于步驟四所得溶膠中，抽真空，保壓30-60min，隨后加壓至0.2-0.5Mpa，保壓30-60min，取出，置于馬弗爐中，40-50℃干燥24-36小時，
步驟六：將步驟五所得預(yù)制體放入高溫爐中，通入高純氨氣氣氛置換爐內(nèi)氣氛，繼續(xù)通入高純氨氣，流量為10-50ml/min，設(shè)置三步段的升溫程序，并保溫一段時間后，4-6小時降至室溫，取出，稱重并測算密度；
步驟七：重復(fù)步驟五和步驟六，將重復(fù)后的步驟六與前一次步驟六的密度進行比較，直至兩次密度變化小于0.05g/cm3，停止重復(fù)步驟。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的原位生長氮化硅納米線增強復(fù)合材料的制備方法，其特征在于：其中，步驟三中設(shè)置低熔點無機玻璃粉與納米氮化硅粉末質(zhì)量比為(20-40)g：100g，所述玻璃粉粒度為200～400目，熔點為400～500℃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的原位生長氮化硅納米線增強復(fù)合材料的制備方法，其特征在于：其中，步驟六中升溫程序為：1-2小時升溫至450-500℃保溫2-4小時，1-2小時升溫至1000-1050℃保溫1-2小時，0.5-1小時升溫至1400-1450℃保溫1-2小時。
4.一種根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的原位生長氮化硅納米線增強復(fù)合材料的制備方法生產(chǎn)的雷達天線罩/天線窗。
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