[發明專利]提高系統DRAM可靠性的方法、裝置和存儲介質

在審

• 申請號: 201910826187.3
• 申請日: 2019-08-30
• 公開（公告）號: CN112447225A
• 公開（公告）日: 2021-03-05
• 發明（設計）人: 劉鳳鵬;劉冬梅
• 申請（專利權）人: 中興通訊股份有限公司
• 主分類號: G11C11/4074
• 分類號: G11C11/4074;G11C29/50
• 代理公司: 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287
• 代理人: 張婷

本發明公開了一種提高系統DRAM可靠性的方法。該方法包括：獲得DRAM的表現電壓，對所述表現電壓的電壓值進行可靠性校驗；根據可靠性校驗的驗證結果計算DRAM理想模型下的供電電壓的電壓偏差值；根據所述電壓偏差值對所述DRAM的供電電壓進行調整。本發明還公開了一種提高系統DRAM可靠性的裝置及計算機可讀存儲介質。本發明能夠實現使系統DRAM具有更高的可靠性。

技術領域

本發明涉及電子器件領域，尤其涉及一種提高系統DRAM可靠性的方法、裝置和計算機可讀存儲介質。

背景技術

DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即動態隨機存取存儲器，是一種常見的系統內存。動態隨機存取存儲器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)主要的作用原理是利用內存儲的多寡來代表一個(bit)是1還是0。現階段，隨著互聯網和智能設備的普及，用戶對DRAM的速率、功耗和可靠性提出了更高的要求。

然而，現階段，DRAM主要是通過在DRAM器件內設置電壓耦合/去耦合器件，以改善感測放大器的偏置感測來達到保證DRAM可靠性的目的。然而，這種控制方式改善程度有限，使得DRAM可靠性還是存在不穩定的情況。

發明內容

本發明的主要目的在于提供一種提高系統DRAM可靠性的方法、裝置和計算機可讀存儲介質，旨在實現使系統DRAM具有更高的可靠性。

為實現上述目的，本發明提供一種提高系統DRAM可靠性的方法，所述提高系統DRAM可靠性的方法包括以下步驟：

獲得DRAM的表現電壓，對所述表現電壓的電壓值進行可靠性校驗；

根據可靠性校驗的驗證結果計算DRAM理想模型下的供電電壓的電壓偏差值；

根據所述電壓偏差值對所述DRAM的供電電壓進行調整。

可選地，所述根據所述電壓偏差值對所述DRAM的供電電壓進行調整的步驟包括：

在對所述DRAM的供電電壓進行調整后，重新對所述表現電壓的電壓值進行可靠性校驗；

若校驗結果是失敗，則返回步驟：根據可靠性校驗的驗證結果計算DRAM理想模型下的電壓偏差值。

可選地，所述根據可靠性校驗的驗證結果計算DRAM理想模型下的供電電壓的電壓偏差值的步驟包括：

若所述校驗結果是失敗，則對所述供電電壓的電壓測試值增加一個預設電壓增量值，獲得新的供電電壓的電壓測試值。

可選地，所述根據可靠性校驗的驗證結果計算DRAM理想模型下的供電電壓的電壓偏差值的步驟還包括：

若所述校驗結果是成功，則對所述供電電壓的電壓測試值減少一個預設電壓減少值，獲得新的供電電壓的電壓測試值。

可選地，所述提高系統DRAM可靠性的方法還包括：

獲得DRAM的供電電容值，按照預設規則調整DRAM的供電電容值獲得調整后的DRAM電容值，直到調整后的DRAM電容對應的表現電壓大于或等于預設門限電壓。

可選地，所述獲得DRAM的供電電容值，按照預設規則調整DRAM的供電電容值獲得調整后的DRAM電容值，直到調整后的DRAM電容對應的表現電壓大于或等于預設門限電壓的步驟包括：

根據所述電壓偏差值確定所述DRAM的供電電壓值是否變化；

若所述DRAM的供電電壓值變化，則將所述DRAM的電容值減少一個預設電容減少值，獲得調整后的電容測試值，并對調整后的電容進行可靠性校驗；