[發(fā)明專利]提高系統(tǒng)DRAM可靠性的方法、裝置和存儲(chǔ)介質(zhì)

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910826187.3
• 申請(qǐng)日: 2019-08-30
• 公開（公告）號(hào): CN112447225A
• 公開（公告）日: 2021-03-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉鳳鵬;劉冬梅
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中興通訊股份有限公司
• 主分類號(hào): G11C11/4074
• 分類號(hào): G11C11/4074;G11C29/50
• 代理公司: 深圳市世紀(jì)恒程知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44287
• 代理人: 張婷

1.一種提高系統(tǒng)DRAM可靠性的方法，其特征在于，所述提高系統(tǒng)DRAM可靠性的方法包括以下步驟：

獲得DRAM的表現(xiàn)電壓，對(duì)所述表現(xiàn)電壓的電壓值進(jìn)行可靠性校驗(yàn)；

根據(jù)可靠性校驗(yàn)的驗(yàn)證結(jié)果計(jì)算DRAM理想模型下的供電電壓的電壓偏差值；

根據(jù)所述電壓偏差值對(duì)所述DRAM的供電電壓進(jìn)行調(diào)整。

2.如權(quán)利要求1所述的提高系統(tǒng)DRAM可靠性的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述電壓偏差值對(duì)所述DRAM的供電電壓進(jìn)行調(diào)整的步驟之后包括：

在對(duì)所述DRAM的供電電壓進(jìn)行調(diào)整后，重新對(duì)所述表現(xiàn)電壓的電壓值進(jìn)行可靠性校驗(yàn)；

若校驗(yàn)結(jié)果是失敗，則返回步驟：根據(jù)可靠性校驗(yàn)的驗(yàn)證結(jié)果計(jì)算DRAM理想模型下的電壓偏差值。

3.如權(quán)利要求1或2所述的提高系統(tǒng)DRAM可靠性的方法，其特征在于，所述根據(jù)可靠性校驗(yàn)的驗(yàn)證結(jié)果計(jì)算DRAM理想模型下的供電電壓的電壓偏差值的步驟包括：

若所述校驗(yàn)結(jié)果是失敗，則對(duì)所述供電電壓的電壓測(cè)試值增加一個(gè)預(yù)設(shè)電壓增量值，獲得新的供電電壓的電壓測(cè)試值。

4.如權(quán)利要求1或2所述的提高系統(tǒng)DRAM可靠性的方法，其特征在于，所述根據(jù)可靠性校驗(yàn)的驗(yàn)證結(jié)果計(jì)算DRAM理想模型下的供電電壓的電壓偏差值的步驟還包括：

若所述校驗(yàn)結(jié)果是成功，則對(duì)所述供電電壓的電壓測(cè)試值減少一個(gè)預(yù)設(shè)電壓減少值，獲得新的供電電壓的電壓測(cè)試值。

5.如權(quán)利要求1所述的提高系統(tǒng)DRAM可靠性的方法，其特征在于，所述提高系統(tǒng)DRAM可靠性的方法還包括：

獲得DRAM的供電電容值，按照預(yù)設(shè)規(guī)則調(diào)整DRAM的供電電容值獲得調(diào)整后的DRAM電容值，直到調(diào)整后的DRAM電容對(duì)應(yīng)的表現(xiàn)電壓大于或等于預(yù)設(shè)門限電壓。

6.如權(quán)利要求5所述的提高系統(tǒng)DRAM可靠性的方法，其特征在于，所述獲得DRAM的供電電容值，按照預(yù)設(shè)規(guī)則調(diào)整DRAM的供電電容值獲得調(diào)整后的DRAM電容值，直到調(diào)整后的DRAM電容對(duì)應(yīng)的表現(xiàn)電壓大于或等于預(yù)設(shè)門限電壓的步驟包括：

根據(jù)所述電壓偏差值確定所述DRAM的供電電壓值是否變化；

若所述DRAM的供電電壓值變化，則將所述DRAM的電容值減少一個(gè)預(yù)設(shè)電容減少值，獲得調(diào)整后的電容測(cè)試值，并對(duì)調(diào)整后的電容進(jìn)行可靠性校驗(yàn)；

若所述可靠性校驗(yàn)結(jié)果為所述表現(xiàn)電壓小于預(yù)設(shè)門限電壓，則返回步驟：將所述DRAM的電容值減少一個(gè)預(yù)設(shè)電容減少值，獲得調(diào)整后的電容測(cè)試值，并對(duì)調(diào)整后的電容進(jìn)行可靠性校驗(yàn)，直到調(diào)整后的DRAM電容對(duì)應(yīng)的表現(xiàn)電壓大于或等于預(yù)設(shè)門限電壓。

7.如權(quán)利要求6所述的提高系統(tǒng)DRAM可靠性的方法，其特征在于，所述獲得DRAM的供電電容值，按照預(yù)設(shè)規(guī)則調(diào)整DRAM的供電電容值獲得調(diào)整后的DRAM電容值，直到調(diào)整后的DRAM電容對(duì)應(yīng)的表現(xiàn)電壓大于或等于預(yù)設(shè)門限電壓的步驟還包括：

若所述DRAM的供電電壓值不變化，則將所述DRAM的電容值增加一個(gè)預(yù)設(shè)電容增加值，獲得調(diào)整后的電容測(cè)試值，并對(duì)調(diào)整后的電容進(jìn)行可靠性校驗(yàn)；

若所述可靠性校驗(yàn)結(jié)果為所述表現(xiàn)電壓大于或等于預(yù)設(shè)門限電壓，則返回步驟：將所述DRAM的電容值增加一個(gè)預(yù)設(shè)電容增加值，獲得調(diào)整后的電容測(cè)試值，并對(duì)調(diào)整后的電容進(jìn)行可靠性校驗(yàn)，直到調(diào)整后的DRAM電容對(duì)應(yīng)的表現(xiàn)電壓小于預(yù)設(shè)門限電壓。

8.如權(quán)利要求5-7中任一項(xiàng)所述的提高系統(tǒng)DRAM可靠性的方法，其特征在于，所述電容為可變電容。

9.一種提高系統(tǒng)DRAM可靠性的裝置，其特征在于，所述提高系統(tǒng)DRAM可靠性的裝置包括：存儲(chǔ)器、處理器及存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)器上并可在所述處理器上運(yùn)行的提高系統(tǒng)DRAM可靠性的程序，所述提高系統(tǒng)DRAM可靠性的程序被所述處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)如權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述提高系統(tǒng)DRAM可靠性的方法的步驟。

10.一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其特征在于，所述計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)上存儲(chǔ)有提高系統(tǒng)DRAM可靠性的程序，所述提高系統(tǒng)DRAM可靠性的程序被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)如權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述提高系統(tǒng)DRAM可靠性的方法的步驟。