[發(fā)明專(zhuān)利]插塞結(jié)構(gòu)、三維存儲(chǔ)器的形成方法和三維存儲(chǔ)器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910824467.0
• 申請(qǐng)日: 2019-09-02
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110718504B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-07-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張珍珍;顧立勛
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/768
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/768;H01L23/538
• 代理公司: 北京派特恩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270
• 代理人: 李梅香;張穎玲

1.一種插塞結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

采用第一刻蝕工藝對(duì)連接層表面的介質(zhì)層和所述連接層進(jìn)行刻蝕，形成第一插塞孔；

采用第二刻蝕工藝，沿所述第一插塞孔的內(nèi)壁進(jìn)行刻蝕，包括對(duì)所述第一插塞孔縱向的刻蝕和底部沿平行于連接層表面方向的刻蝕，形成第二插塞孔；

所述第二插塞孔的孔徑大于所述第一插塞孔的孔徑；

在所述第二插塞孔內(nèi)沉積導(dǎo)電材料，形成插塞結(jié)構(gòu)；

所述連接層為襯底或?qū)щ妼印?/p>

2.如權(quán)利要求1所述方法，其特征在于，所述第一刻蝕工藝包括：各向異性刻蝕工藝和/或各向同性刻蝕工藝；

所述第二刻蝕工藝包括：各向異性刻蝕工藝和/或各向同性刻蝕工藝。

3.如權(quán)利要求1所述方法，其特征在于，所述第一插塞孔包括貫穿所述介質(zhì)層的第一通孔，和位于所述連接層表面且與所述第一通孔連接的第一接觸孔。

4.如權(quán)利要求3所述方法，其特征在于，所述采用第一刻蝕工藝對(duì)連接層表面的介質(zhì)層和所述連接層進(jìn)行刻蝕，形成第一插塞孔，包括：

以所述介質(zhì)層表面的圖形化掩膜層為第一掩膜，刻穿所述介質(zhì)層，形成所述第一通孔；

將所述第一通孔對(duì)應(yīng)的位置作為掩膜圖形，形成第二掩膜；

基于所述第二掩膜刻蝕所述連接層，形成所述第一接觸孔。

5.如權(quán)利要求3所述方法，其特征在于，所述采用第二刻蝕工藝，沿所述第一插塞孔的內(nèi)壁進(jìn)行刻蝕，形成第二插塞孔，包括：

采用第二刻蝕工藝，沿所述第一接觸孔的內(nèi)壁進(jìn)行刻蝕，形成第二接觸孔，所述第二接觸孔與所述第一通孔連接形成所述第二插塞孔。

6.如權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述方法，其特征在于，所述第二插塞孔位于所述介質(zhì)層中的第一部分的孔徑，小于所述第二插塞孔位于所述連接層中的第二部分的孔徑。

7.一種三維存儲(chǔ)器的形成方法，其特征在于，所述方法包括：

采用第一刻蝕工藝對(duì)連接層表面的介質(zhì)層和所述連接層進(jìn)行刻蝕，形成至少一個(gè)第一插塞孔；

采用第二刻蝕工藝，沿每一所述第一插塞孔的內(nèi)壁進(jìn)行刻蝕，包括對(duì)所述第一插塞孔縱向的刻蝕和底部沿平行于連接層表面方向的刻蝕，形成至少一個(gè)第二插塞孔；

所述第二插塞孔的孔徑大于所述第一插塞孔的孔徑；

在每一所述第二插塞孔內(nèi)沉積金屬材料，形成插塞結(jié)構(gòu)；

對(duì)具有所述插塞結(jié)構(gòu)的所述介質(zhì)層的表面進(jìn)行平坦化處理，形成所述三維存儲(chǔ)器。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一刻蝕工藝包括以下任意一種：各向異性刻蝕工藝或各向同性刻蝕工藝；所述第二刻蝕工藝包括以下任意一種：各向異性刻蝕工藝或各向同性刻蝕工藝。

9.一種三維存儲(chǔ)器，其特征在于，所述三維存儲(chǔ)器包括：

位于連接層之上的介質(zhì)層；

形成于所述介質(zhì)層之內(nèi)的至少一個(gè)插塞孔；

所述插塞孔還形成于所述連接層；

位于所述插塞孔之內(nèi)的插塞結(jié)構(gòu)；

其中，所述插塞結(jié)構(gòu)位于所述連接層中的第二部分的孔徑，大于所述插塞結(jié)構(gòu)位于所述介質(zhì)層中的第一部分的孔徑，減小所述插塞結(jié)構(gòu)的底部與所述連接層之間的接觸電阻；

溝道區(qū)域；

圍繞所述溝道區(qū)域的階梯區(qū)域；

所述溝道區(qū)域和所述階梯區(qū)域中具有至少一個(gè)所述插塞結(jié)構(gòu)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述三維存儲(chǔ)器，其特征在于，還包括遠(yuǎn)離所述溝道區(qū)域和所述階梯區(qū)域的邏輯電路區(qū)域；所述邏輯電路區(qū)域中具有至少一個(gè)所述插塞結(jié)構(gòu)。