[發明專利]一種用于集成電路晶圓級封裝的重構方法

有效

• 申請號: 201910823826.0
• 申請日: 2019-09-02
• 公開（公告）號: CN110473792B
• 公開（公告）日: 2021-04-02
• 發明（設計）人: 徐開凱;劉煒恒;施寶球;曾德貴;趙建明;曾尚文;錢呈;錢津超;李建全;廖楠;徐銀森;劉繼芝;李洪貞;陳勇;黃平;李健兒
• 申請（專利權）人: 電子科技大學;廣安職業技術學院;四川晶輝半導體有限公司;四川遂寧市利普芯微電子有限公司;四川藍彩電子科技有限公司;上海朕芯微電子科技有限公司;四川上特科技有限公司;重慶中科渝芯電子有限公司;四川芯合利誠科技有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L21/56;H01L21/78
• 代理公司: 石家莊科誠專利事務所(普通合伙) 13113
• 代理人: 劉謨培;左燕生

本發明公開了一種用于集成電路晶圓級封裝的重構方法，包括如下步驟：（1）原芯片重新布局布線工藝；（2）重新布局布線層表面做鈍化處理；（3）芯片倒置后填涂第一塑封層；（4）芯片外接引腳淀積金屬外延層；（5）執行第一次切割工藝；（6）填充第二塑封層；（7）進行化學機械拋光工藝至金屬外延層露出焊接表面；（8）在金屬外延層焊接表面生成金屬焊球；（9）執行第二次切割工藝。本發明可以解決現有技術中需要使用高成本的模具導致成本高的技術問題，無須使用高成本模具，大大降低了生產成本。本發明屬于半導體技術領域。

技術領域

本發明屬于半導體技術領域，涉及一種半導體封裝的重構方法，具體地說是一種用于集成電路晶圓級封裝的重構方法。

背景技術

隨著半導體技術的發展，進入深亞微米乃至更高工藝進程后，芯片集成晶體管數不斷增加，功能集成越來越多，性能越來越好，同時，整體芯片體積也越來越小。但是，在如今復雜的應用場景下，高功率芯片通常需要多個功率引腳來保證功耗正常輸出和散熱，而SoC等芯片需要很多的I/O接口為高速提供支持，所以需要引出越來越多的金屬連接點。然而，外接電路連接件沒有能夠隨著半導體生產工藝進步而進一步減小尺寸，因此，將芯片金屬連接點重新排布和放大尺寸在實際應用中變得非常重要。

但是常規重構技術是在芯片裸片被切割后進行的，常常需要制作模具，而模具制作成本高昂。

發明內容

本發明的目的是提供一種用于集成電路晶圓級封裝的重構方法，解決現有技術中需要使用高成本的模具導致成本高的技術問題，以達到無須使用高成本模具、降低生產成本的技術效果。

本發明為實現上述目的，所采用的技術方案如下：

一種用于集成電路晶圓級封裝的重構方法，所述方法包括如下步驟：

（1）對未進行切割工藝的芯片進行重新布局布線，形成重新布局布線層；

（2）對重新布局布線層表面進行鈍化處理，然后執行化學機械拋光工藝至裸露出重新布局布線層的芯片外接引腳；

（3）將芯片頂層倒置于承載板上，在芯片底層澆注環氧樹脂，形成第一塑封層；

（4）將芯片與第一塑封層整體翻轉，使第一塑封層置于承載板上，對芯片外接引腳進行金屬淀積工藝或電鍍工藝形成金屬外延層；

（5）對芯片與第一塑封層執行第一次切割工藝，切割寬度為L1，切割深度大于芯片厚度且小于芯片與第一塑封層厚度之和，形成第一切割溝道；

（6）在第一切割溝道填充環氧樹脂至覆蓋金屬外延層焊接表面，形成第二塑封層；

（7）對第二塑封層進行化學機械拋光工藝至金屬外延層露出焊接表面；

（8）在焊接表面進行電鍍工藝或植球工藝，生長金屬焊球；

（9）對第一塑封層和第二塑封層執行第二次切割工藝，切割寬度為L2（L1L2），切割深度為完全切割至承載板表面。

作為對本發明的一種限定：所述步驟（1）中，重新布局布線層具有一層布線，所述重新布局布線工藝是將原芯片引腳外露面進行金屬淀積，生長金屬層，形成芯片外接引腳，并刻蝕多余金屬，形成金屬連接線。

作為對發明的另一種限定：所述步驟（2）中鈍化處理是在重新布局布線層覆蓋材料為固化劑、樹脂或氮化硅的鈍化層。

由于采用了上述的技術方案，本發明與現有技術相比，所取得的有益效果是：