[發(fā)明專利]一種用于集成電路晶圓級(jí)封裝的重構(gòu)方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910823826.0
• 申請(qǐng)日: 2019-09-02
• 公開（公告）號(hào): CN110473792B
• 公開（公告）日: 2021-04-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐開凱;劉煒恒;施寶球;曾德貴;趙建明;曾尚文;錢呈;錢津超;李建全;廖楠;徐銀森;劉繼芝;李洪貞;陳勇;黃平;李健兒
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 電子科技大學(xué);廣安職業(yè)技術(shù)學(xué)院;四川晶輝半導(dǎo)體有限公司;四川遂寧市利普芯微電子有限公司;四川藍(lán)彩電子科技有限公司;上海朕芯微電子科技有限公司;四川上特科技有限公司;重慶中科渝芯電子有限公司;四川芯合利誠科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/48
• 分類號(hào): H01L21/48;H01L21/56;H01L21/78
• 代理公司: 石家莊科誠專利事務(wù)所(普通合伙) 13113
• 代理人: 劉謨培;左燕生

1.一種用于集成電路晶圓級(jí)封裝的重構(gòu)方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：

（1）對(duì)未進(jìn)行切割工藝的芯片執(zhí)行重新布局布線工藝，形成重新布局布線層；

重新布局布線層具有一層布線，所述重新布局布線工藝是將原芯片引腳外露面進(jìn)行金屬淀積，生長金屬層，形成芯片外接引腳，并刻蝕多余金屬，形成金屬連接線；

（2）對(duì)重新布局布線層表面進(jìn)行鈍化處理，然后執(zhí)行化學(xué)機(jī)械拋光工藝至裸露出重新布局布線層的芯片外接引腳；

（3）將芯片頂層倒置于承載板上，在芯片底層澆注環(huán)氧樹脂，形成第一塑封層；

（4）將芯片與第一塑封層翻轉(zhuǎn)，使第一塑封層置于承載板上，對(duì)芯片外接引腳進(jìn)行金屬淀積工藝或電鍍工藝形成金屬外延層；

（5）對(duì)芯片與第一塑封層執(zhí)行第一次切割工藝，切割寬度為L1，切割深度大于芯片厚度且小于芯片與第一塑封層厚度之和，形成第一切割溝道；

（6）在第一切割溝道填充環(huán)氧樹脂至覆蓋金屬外延層焊接表面，形成第二塑封層；

（7）對(duì)第二塑封層進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光工藝至金屬外延層露出焊接表面；

（8）在焊接表面進(jìn)行電鍍工藝或植球工藝，生長金屬焊球；

（9）對(duì)第一塑封層和第二塑封層執(zhí)行第二次切割工藝，切割寬度為L2（L1L2），切割深度為完全切割至承載板表面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種用于集成電路晶圓級(jí)封裝的重構(gòu)方法，其特征在于，所述步驟（2）中鈍化處理是在重新布局布線層覆蓋材料為固化劑、樹脂或氮化硅的鈍化層。