[發明專利]導電通孔結構

在審

• 申請號: 201910821908.1
• 申請日: 2019-09-02
• 公開（公告）號: CN112242364A
• 公開（公告）日: 2021-01-19
• 發明（設計）人: 施信益
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L23/498;H01L23/522;H01L23/538
• 代理公司: 北京中譽威圣知識產權代理有限公司 11279
• 代理人: 席勇;董云海

本發明公開了一種導電通孔結構，包含第一介電層、導電墊、第二介電層以及重分布層。導電墊位于第一介電層中。第二介電層設置于第一介電層上，并具有開口。導電墊位于開口中。開口在第二介電層的上表面處具有第一寬度，開口在第二介電層的下表面處具有第二寬度。第一寬度與第二寬度具有差異，且此差異落在自約3微米至約6微米的范圍中。重分布層自第二介電層的上表面延伸至導電墊。由于導電通孔結構的第二介電層的第一寬度大于第二介電層的第二寬度約3微米至約6微米，因此重分布層的材料不會在鋁沉積工藝中聚集在開口的上端。換句話說，重分布層可具有較厚的側壁。通過如此的結構，可增進導電通孔結構的電性連接品質。

技術領域

本發明是有關于一種導電通孔結構。

背景技術

在通過鋁沉積工藝形成重分布層的工藝中，鋁的顆粒會影響后續工藝的效率以及裝置的效能。因此，為了避免顆粒的形成，鋁沉積工藝的溫度會被控制在較低的溫度。然而，較低的溫度會使得形成于介電層的開口中的重分布層的厚度變得更薄。此外，鋁的堆積會形成在開口的上端，使得鋁沉積效率變得更差。如此一來，將使得電性連接品質下降。

另一方面，較大的開口雖然可提供更多的空間讓鋁沉積至開口中。然而，越大的開口尺寸同時也限制的裝置的微縮幅度。如此一來，也使得導電通孔結構的制造難以達到所需的設計規則。

發明內容

本發明的目的在于提供一種導電通孔結構，其可增進導電通孔結構的電性連接品質。

在本發明的一實施例中，導電通孔結構包含第一介電層、導電墊、第二介電層以及重分布層。導電墊位于第一介電層中。第二介電層設置于第一介電層上，并具有開口。導電墊位于開口中。開口在第二介電層的上表面處具有第一寬度，開口在第二介電層的下表面處具有第二寬度。第一寬度與第二寬度具有差異，且此差異落在自約3微米至約6微米的范圍中。重分布層自第二介電層的上表面延伸至導電墊。

在本發明的一實施例中，第二介電層具有斜面，位于第二介電層的上表面與第二介電層的下表面之間。

在本發明的一實施例中，第二介電層的開口的第一寬度大于8微米。

在本發明的一實施例中，第二介電層的開口的第一寬度落在自約9微米至約13微米的范圍中。

在本發明的一實施例中，第二介電層的開口的第二寬度落在自約3微米至約7微米的范圍中。

在本發明的一實施例中，第一寬度與第二寬度之間的比例落在自約1.5至約2.2的范圍中。

在本發明的一實施例中，第二介電層的開口還包含第三寬度，位于第二介電層的上表面與第二介電層的下表面之間，且第三寬度小于第一寬度，第三寬度大于第二寬度。

在本發明的一實施例中，開口的第三寬度自第二介電層的上表面往第二介電層的下表面遞減。

在本發明的一實施例中，第二介電層包含上部以及位于上部下方的下部，且位于上部的開口的第一寬度為定值。

在本發明的一實施例中，導電墊具有凹陷，凹陷連通第二介電層的開口。

在本發明的一實施例中，位于第二介電層的上表面上的重分布層具有厚度，此厚度落在自約4微米至約5微米的范圍中。

在本發明的一實施例中，位于第二介電層的開口中的重分布層具有側壁，側壁圍繞次要開口，且次要開口具有大致相同的第四寬度。

在本發明的一實施例中，重分布層的側壁的厚度自第二介電層的上表面往第二介電層的下表面遞減。

在本發明的一實施例中，第二介電層為復合層。