[發(fā)明專利]導電通孔結構在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910821908.1 | 申請日： | 2019-09-02 |
| 公開（公告）號： | CN112242364A | 公開（公告）日： | 2021-01-19 |
| 發(fā)明（設計）人： | 施信益 | 申請（專利權）人： | 南亞科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/48 | 分類號： | H01L23/48;H01L23/498;H01L23/522;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京中譽威圣知識產(chǎn)權代理有限公司 11279 | 代理人： | 席勇;董云海 |
| 地址： | 中國臺灣新*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 導電 結構 | ||
1.一種導電通孔結構，其特征在于，包含：
第一介電層；
導電墊，位于所述第一介電層中；
第二介電層，設置于所述第一介電層上，并具有開口，其中所述導電墊位于所述開口中，所述開口在所述第二介電層的上表面處具有第一寬度，所述開口在所述第二介電層的下表面處具有第二寬度，所述第一寬度與所述第二寬度具有差異，且所述差異落在自3微米至6微米的范圍中；以及
重分布層，自所述第二介電層的所述上表面延伸至所述導電墊。
2.如權利要求1所述的導電通孔結構，其特征在于，所述第二介電層具有斜面，位于所述第二介電層的所述上表面與所述第二介電層的所述下表面之間。
3.如權利要求1所述的導電通孔結構，其特征在于，所述第二介電層的所述開口的所述第一寬度大于8微米。
4.如權利要求1所述的導電通孔結構，其特征在于，所述第二介電層的所述開口的所述第一寬度落在自9微米至13微米的范圍中。
5.如權利要求1所述的導電通孔結構，其特征在于，所述第二介電層的所述開口的所述第二寬度落在自3微米至7微米的范圍中。
6.如權利要求1所述的導電通孔結構，其特征在于，所述第一寬度與所述第二寬度之間的比例落在自1.5至2.2的范圍中。
7.如權利要求1所述的導電通孔結構，其特征在于，所述開口還包含第三寬度，位于所述第二介電層的所述上表面與所述第二介電層的所述下表面之間，且其中所述第三寬度小于所述第一寬度，所述第三寬度大于所述第二寬度。
8.如權利要求7所述的導電通孔結構，其特征在于，所述第三寬度自所述第二介電層的所述上表面往所述第二介電層的所述下表面遞減。
9.如權利要求1所述的導電通孔結構，其特征在于，所述第二介電層包含上部以及位于所述上部下方的下部，且位于所述上部的所述開口的所述第一寬度為定值。
10.如權利要求1所述的導電通孔結構，其特征在于，所述導電墊具有凹陷，所述凹陷連通所述第二介電層的所述開口。
11.如權利要求1所述的導電通孔結構，其特征在于，位于所述第二介電層的所述上表面上的所述重分布層具有厚度，所述厚度落在自4微米至5微米的范圍中。
12.如權利要求1所述的導電通孔結構，其特征在于，位于所述第二介電層的所述開口中的所述重分布層具有側壁，所述側壁圍繞次要開口，且所述次要開口具有相同的第四寬度。
13.如權利要求12所述的導電通孔結構，其特征在于，所述重分布層的所述側壁的厚度自所述第二介電層的所述上表面往所述第二介電層的所述下表面遞減。
14.如權利要求1所述的導電通孔結構，其特征在于，所述第二介電層為復合層。
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