[發明專利]金屬柵極形成方法及其形成結構在審
| 申請號： | 201910816297.1 | 申請日： | 2019-08-30 |
| 公開（公告）號： | CN111128890A | 公開（公告）日： | 2020-05-08 |
| 發明（設計）人： | 李宜靜;鄭雅云;林浩宇;陳奕升;許家銘;柯志欣;幸仁·萬 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/8238 | 分類號： | H01L21/8238;H01L21/336;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人： | 龔詩靖 |
| 地址： | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 金屬 柵極 形成 方法 及其 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種形成半導體結構的方法，其包含：
提供襯底；
在所述襯底中形成第一對源極/漏極區；
在所述襯底上方放置層間介電質層，所述層間介電質層具有介于所述第一對源極/漏極區之間的第一溝槽；
在所述第一溝槽中沉積介電質層；
在所述介電質層上方沉積障壁層；
從所述第一溝槽移除所述障壁層以曝光所述介電質層；
在所述第一溝槽中的所述介電質層上方沉積功函數層；及
在所述第一溝槽中的所述功函數層上方沉積導電層。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
