[發明專利]半導體裝置、電力轉換裝置及半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201910815742.2
• 申請日: 2019-08-30
• 公開（公告）號: CN110880480B
• 公開（公告）日: 2023-05-02
• 發明（設計）人: 西村太宏
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L23/051
• 分類號: H01L23/051;H01L23/31;H01L21/52
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張天舒

提供抑制了端子間的位置偏移的產生且可靠性高的半導體裝置、電力轉換裝置及半導體裝置的制造方法。半導體裝置具備半導體元件(1)、殼體、殼體側端子。在元件側端子(3)處與殼體側端子接觸的第1部分沿側壁延伸。第1部分包含凸部(3d)。在殼體側端子處與元件側端子接觸的第2部分沿側壁延伸。第2部分包含與凸部接觸的凹部。凸部包含與頂面(3h)相連的第1端面(3f)、與頂面相連的第2端面(3g)。凹部包含與底面相連且與凸部的第1端面接觸的第1側面、與底面相連且與凸部的第2端面接觸的第2側面。從側壁側觀察，第1端面(3f)及第1側面向第1方向傾斜，第2端面(3g)及第2側面向與第1方向交叉的第2方向傾斜。

技術領域

本發明涉及半導體裝置、電力轉換裝置及半導體裝置的制造方法。

背景技術

當前，已知在殼體的內部配置有半導體元件的半導體裝置(例如，參照日本特開2011-103367號公報)。在日本特開2011-103367號公報中，半導體元件的元件側端子和殼體的殼體側端子通過熔接而接合。具體而言，在沿殼體的側壁向垂直方向延伸的元件側端子的第1部分與沿殼體的側壁延伸的殼體側端子的第2部分接觸的狀態下進行熔接。

另外，已知如下技術，即，在接合的2個端子處，在一個端子設置1個凸部，在與一個端子層疊配置的另一端子設置凹部，通過將凸部嵌入該凹部而進行2個端子間的對位(例如，參照日本特開2015-119072號公報)。

就日本特開2011-103367號公報所公開的半導體裝置而言，為了將元件側端子和殼體側端子可靠地熔接而提高可靠性，需要使該元件側端子的第1部分和殼體側端子的第2部分可靠地接觸，但沒有特別提及這樣的端子彼此的定位。另外，日本特開2015-119072號公報所公開的結構被用于層疊配置的端子間的對位，不能夠直接應用于日本特開2011-103367號公報所公開的在垂直方向延伸的端子彼此的定位。

發明內容

本發明就是為了解決上述那樣的課題而提出的，本發明的目的在于提供對端子間的位置偏移的產生進行了抑制的可靠性高的半導體裝置、電力轉換裝置及半導體裝置的制造方法。

本發明涉及的半導體裝置具備半導體元件、殼體、殼體側端子。半導體元件具有元件側端子。殼體在內部保持半導體元件，殼體具有側壁。殼體側端子與上述殼體連接。元件側端子及殼體側端子位于側壁和半導體元件之間的區域并且彼此連接。在元件側端子處與殼體側端子接觸的第1部分沿側壁延伸。第1部分包含凸部。在殼體側端子處與元件側端子接觸的第2部分沿側壁延伸。第2部分包含與凸部接觸的凹部。凸部包含與側壁相對的頂面、與頂面相連的第1端面、與頂面相連的第2端面。凹部包含與凸部的頂面相對的底面、與底面相連且與凸部的第1端面接觸的第1側面、與底面相連且與凸部的第2端面接觸的第2側面。從側壁側觀察，第1端面及第1側面以向第1方向傾斜的方式延伸，第2端面及第2側面以向與第1方向交叉的第2方向傾斜的方式延伸。

本發明涉及的半導體裝置的制造方法具備準備半導體元件、殼體的工序，該半導體元件具有元件側端子，該殼體具有側壁。殼體側端子與殼體連接。元件側端子包含應該與殼體側端子接觸的第1部分。第1部分包含凸部。殼體側端子包含與側壁相對并且沿側壁延伸的第2部分。第2部分包含應該與凸部接觸的凹部。凸部包含與側壁相對的頂面、與頂面相連的第1端面、與頂面相連的第2端面。凹部包含與凸部的頂面相對的底面、與底面相連且應該與凸部的第1端面接觸的第1側面、與底面相連且應該與凸部的第2端面接觸的第2側面。并且，半導體裝置的制造方法具備在使凸部與凹部接觸的狀態下，將半導體元件配置于殼體的內部的工序。在配置半導體元件的工序中，從側壁側觀察，第1端面及第1側面以向第1方向傾斜的方式延伸，第2端面及第2側面以向與第1方向交叉的第2方向傾斜的方式延伸。并且，半導體裝置的制造方法具備在使凸部與凹部接觸的狀態下，將第1部分和第2部分固定的工序。

本發明涉及的電力轉換裝置具備主轉換電路和控制電路。主轉換電路具有上述半導體裝置，主轉換電路對被輸入進來的電力進行轉換而輸出。控制電路將控制主轉換電路的控制信號輸出至主轉換電路。